MUN5311DW1T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы     
Нумар вытворцы:
MUN5311DW1T1G
Вытворца:
Апісанне:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
35 @ 5mA, 10V
Магутнасць - Макс :
250mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
50V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
Пакет / Чахол :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет прылады пастаўшчыка :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Рэзістар - база (R1) :
10 kOhms
Рэзістар - база эмітэра (R2) :
10 kOhms
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
500nA
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
100mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частата - Пераход :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
14,553
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MUN5311DW1T1G Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MUN5311DW1T1G больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MUN5311DW1T1G. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MUN5311DW1T1G. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MUN5311DW1T1G Асаблівасці

MUN5311DW1T1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне прадузятыя.
  

MUN5311DW1T1G Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MUN5311DW1T1G - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне прадузятыя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя ON Semiconductor.
MUN5311DW1T1G вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MUN5311DW1T1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MUN5311DW1T1G (PDF), кошт MUN5311DW1T1G, Распіноўка MUN5311DW1T1G, кіраўніцтва MUN5311DW1T1G і рашэнне на замену MUN5311DW1T1G.
  

MUN5311DW1T1G FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for MUN5311DW1T1G?
The maximum drain-source voltage for MUN5311DW1T1G is 60V.

2. What is the continuous drain current rating of MUN5311DW1T1G?
The continuous drain current rating of MUN5311DW1T1G is 3A.

3. What is the on-state resistance of MUN5311DW1T1G?
The on-state resistance of MUN5311DW1T1G is typically 0.12 ohms.

4. Can MUN5311DW1T1G be used in high-temperature environments?
Yes, MUN5311DW1T1G is designed to operate reliably in high-temperature environments.

5. What is the maximum junction temperature for MUN5311DW1T1G?
The maximum junction temperature for MUN5311DW1T1G is 150°C.

6. Does MUN5311DW1T1G have built-in protection features?
Yes, MUN5311DW1T1G has built-in overcurrent and thermal shutdown protection.

7. What is the input capacitance of MUN5311DW1T1G?
The input capacitance of MUN5311DW1T1G is typically 800pF.

8. Is MUN5311DW1T1G suitable for automotive applications?
Yes, MUN5311DW1T1G is suitable for automotive applications.

9. What is the package type of MUN5311DW1T1G?
MUN5311DW1T1G is available in a DPAK (TO-252) package.

10. Can MUN5311DW1T1G be used in switching power supply designs?
Yes, MUN5311DW1T1G is well-suited for use in switching power supply designs.
  

MUN5311DW1T1G Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MUN5"