MUN5311DW1T1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
MUN5311DW1T1
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
MUN5311DW1T1 Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
35 @ 5mA, 10V
Магутнасць - Макс :
250mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
50V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
Пакет / Чахол :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет прылады пастаўшчыка :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Рэзістар - база (R1) :
10 kOhms
Рэзістар - база эмітэра (R2) :
10 kOhms
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
500nA
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
100mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ўпакоўка :
Cut Tape (CT)
Частата - Пераход :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
24,663
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MUN5311DW1T1 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MUN5311DW1T1 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MUN5311DW1T1. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MUN5311DW1T1. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MUN5311DW1T1 Асаблівасці
MUN5311DW1T1 is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне прадузятыя.
MUN5311DW1T1 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MUN5311DW1T1 - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне прадузятыя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
MUN5311DW1T1 вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MUN5311DW1T1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MUN5311DW1T1 (PDF), кошт MUN5311DW1T1, Распіноўка MUN5311DW1T1, кіраўніцтва MUN5311DW1T1 і рашэнне на замену MUN5311DW1T1.
MUN5311DW1T1 вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MUN5311DW1T1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MUN5311DW1T1 (PDF), кошт MUN5311DW1T1, Распіноўка MUN5311DW1T1, кіраўніцтва MUN5311DW1T1 і рашэнне на замену MUN5311DW1T1.
MUN5311DW1T1 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for MUN5311DW1T1?
The maximum drain-source voltage for MUN5311DW1T1 is 60V.
2. What is the continuous drain current rating for MUN5311DW1T1?
The continuous drain current rating for MUN5311DW1T1 is 3A.
3. What is the threshold voltage for MUN5311DW1T1?
The threshold voltage for MUN5311DW1T1 is typically 1.5V.
4. What is the on-resistance for MUN5311DW1T1?
The on-resistance for MUN5311DW1T1 is typically 0.12 ohms.
5. What is the maximum junction temperature for MUN5311DW1T1?
The maximum junction temperature for MUN5311DW1T1 is 150°C.
6. What is the gate-source voltage for MUN5311DW1T1?
The gate-source voltage for MUN5311DW1T1 is ±20V.
7. What is the input capacitance for MUN5311DW1T1?
The input capacitance for MUN5311DW1T1 is typically 1100pF.
8. What is the output capacitance for MUN5311DW1T1?
The output capacitance for MUN5311DW1T1 is typically 300pF.
9. What is the total power dissipation for MUN5311DW1T1?
The total power dissipation for MUN5311DW1T1 is 2.5W.
10. What is the storage temperature range for MUN5311DW1T1?
The storage temperature range for MUN5311DW1T1 is -55°C to 150°C.
The maximum drain-source voltage for MUN5311DW1T1 is 60V.
2. What is the continuous drain current rating for MUN5311DW1T1?
The continuous drain current rating for MUN5311DW1T1 is 3A.
3. What is the threshold voltage for MUN5311DW1T1?
The threshold voltage for MUN5311DW1T1 is typically 1.5V.
4. What is the on-resistance for MUN5311DW1T1?
The on-resistance for MUN5311DW1T1 is typically 0.12 ohms.
5. What is the maximum junction temperature for MUN5311DW1T1?
The maximum junction temperature for MUN5311DW1T1 is 150°C.
6. What is the gate-source voltage for MUN5311DW1T1?
The gate-source voltage for MUN5311DW1T1 is ±20V.
7. What is the input capacitance for MUN5311DW1T1?
The input capacitance for MUN5311DW1T1 is typically 1100pF.
8. What is the output capacitance for MUN5311DW1T1?
The output capacitance for MUN5311DW1T1 is typically 300pF.
9. What is the total power dissipation for MUN5311DW1T1?
The total power dissipation for MUN5311DW1T1 is 2.5W.
10. What is the storage temperature range for MUN5311DW1T1?
The storage temperature range for MUN5311DW1T1 is -55°C to 150°C.
MUN5311DW1T1 Змяненні, ключавыя словы
:
MUN5311DW1T1 Кошт
MUN5311DW1T1 Малюнак
MUN5311DW1T1 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MUN5"