GB10SLT12-214 GeneSiC Semiconductor SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
GB10SLT12-214
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
-
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
-
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-
серыял :
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
-
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
-
Тып мацавання :
-
Ўпакоўка :
Cut Tape (CT)
хуткасць :
-
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
-
Частка Статус :
Discontinued at Digi-Key
Тып дыёда :
-
в наличии
49,852
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
GB10SLT12-214 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць GB10SLT12-214 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc GB10SLT12-214. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на GB10SLT12-214. Націсніце, каб атрымаць прапанову
GB10SLT12-214 Асаблівасці
GB10SLT12-214 is produced by GeneSiC Semiconductor, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
GB10SLT12-214 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
GB10SLT12-214 - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
GeneSiC Semiconductor.
GB10SLT12-214 вытворчасці GeneSiC Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
GB10SLT12-214 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных GB10SLT12-214 (PDF), кошт GB10SLT12-214, Распіноўка GB10SLT12-214, кіраўніцтва GB10SLT12-214 і рашэнне на замену GB10SLT12-214.
GB10SLT12-214 вытворчасці GeneSiC Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
GB10SLT12-214 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных GB10SLT12-214 (PDF), кошт GB10SLT12-214, Распіноўка GB10SLT12-214, кіраўніцтва GB10SLT12-214 і рашэнне на замену GB10SLT12-214.
GB10SLT12-214 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the GB10SLT12-214 semiconductor device?
The maximum operating temperature for the GB10SLT12-214 semiconductor device is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the GB10SLT12-214 at a current of 10A?
The typical forward voltage drop for the GB10SLT12-214 at a current of 10A is 1.2V.
3. What is the recommended mounting torque for the GB10SLT12-214 module?
The recommended mounting torque for the GB10SLT12-214 module is 5-7 Nm.
4. Can the GB10SLT12-214 handle reverse voltage?
Yes, the GB10SLT12-214 can handle a reverse voltage of up to 100V.
5. What is the typical thermal resistance junction to case for the GB10SLT12-214?
The typical thermal resistance junction to case for the GB10SLT12-214 is 0.5°C/W.
6. Is the GB10SLT12-214 suitable for high-frequency applications?
Yes, the GB10SLT12-214 is suitable for high-frequency applications due to its low switching losses.
7. What is the maximum allowable surge current for the GB10SLT12-214?
The maximum allowable surge current for the GB10SLT12-214 is 100A.
8. Does the GB10SLT12-214 require a heat sink for normal operation?
Yes, it is recommended to use a heat sink for the GB10SLT12-214 to ensure optimal thermal performance.
9. What is the typical reverse recovery time for the GB10SLT12-214?
The typical reverse recovery time for the GB10SLT12-214 is 50ns.
10. Can the GB10SLT12-214 be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the GB10SLT12-214 can be used in parallel to increase current handling capability, but proper thermal management is essential to avoid hot spots.
I hope this information is helpful!
The maximum operating temperature for the GB10SLT12-214 semiconductor device is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the GB10SLT12-214 at a current of 10A?
The typical forward voltage drop for the GB10SLT12-214 at a current of 10A is 1.2V.
3. What is the recommended mounting torque for the GB10SLT12-214 module?
The recommended mounting torque for the GB10SLT12-214 module is 5-7 Nm.
4. Can the GB10SLT12-214 handle reverse voltage?
Yes, the GB10SLT12-214 can handle a reverse voltage of up to 100V.
5. What is the typical thermal resistance junction to case for the GB10SLT12-214?
The typical thermal resistance junction to case for the GB10SLT12-214 is 0.5°C/W.
6. Is the GB10SLT12-214 suitable for high-frequency applications?
Yes, the GB10SLT12-214 is suitable for high-frequency applications due to its low switching losses.
7. What is the maximum allowable surge current for the GB10SLT12-214?
The maximum allowable surge current for the GB10SLT12-214 is 100A.
8. Does the GB10SLT12-214 require a heat sink for normal operation?
Yes, it is recommended to use a heat sink for the GB10SLT12-214 to ensure optimal thermal performance.
9. What is the typical reverse recovery time for the GB10SLT12-214?
The typical reverse recovery time for the GB10SLT12-214 is 50ns.
10. Can the GB10SLT12-214 be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the GB10SLT12-214 can be used in parallel to increase current handling capability, but proper thermal management is essential to avoid hot spots.
I hope this information is helpful!
GB10SLT12-214 Змяненні, ключавыя словы
:
GB10SLT12-214 Кошт
GB10SLT12-214 Малюнак
GB10SLT12-214 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "GB10"
