GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
GB10SLT12-220
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Ёмістасць @ Vr, F :
520pF @ 1V, 1MHz
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
1200V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
1.8V @ 10A
Пакет / Чахол :
TO-220-2
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-220AC
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-55°C ~ 175°C
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
40µA @ 1200V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
10A
Тып мацавання :
Through Hole
Ўпакоўка :
Tube
хуткасць :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
0ns
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
Silicon Carbide Schottky
в наличии
21,307
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
GB10SLT12-220 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць GB10SLT12-220 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc GB10SLT12-220. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на GB10SLT12-220. Націсніце, каб атрымаць прапанову
GB10SLT12-220 Асаблівасці
GB10SLT12-220 is produced by GeneSiC Semiconductor, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
GB10SLT12-220 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
GB10SLT12-220 - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
GeneSiC Semiconductor.
GB10SLT12-220 вытворчасці GeneSiC Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
GB10SLT12-220 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных GB10SLT12-220 (PDF), кошт GB10SLT12-220, Распіноўка GB10SLT12-220, кіраўніцтва GB10SLT12-220 і рашэнне на замену GB10SLT12-220.
GB10SLT12-220 вытворчасці GeneSiC Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
GB10SLT12-220 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных GB10SLT12-220 (PDF), кошт GB10SLT12-220, Распіноўка GB10SLT12-220, кіраўніцтва GB10SLT12-220 і рашэнне на замену GB10SLT12-220.
GB10SLT12-220 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the GB10SLT12-220 semiconductor?
The maximum operating temperature for the GB10SLT12-220 semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the GB10SLT12-220 at its rated current?
The typical forward voltage drop for the GB10SLT12-220 at its rated current is 0.7V.
3. What is the reverse recovery time of the GB10SLT12-220 semiconductor?
The reverse recovery time of the GB10SLT12-220 semiconductor is typically 50 nanoseconds.
4. Can the GB10SLT12-220 handle high-frequency switching applications?
Yes, the GB10SLT12-220 is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
5. What is the maximum continuous forward current rating for the GB10SLT12-220?
The maximum continuous forward current rating for the GB10SLT12-220 is 10A.
6. Is the GB10SLT12-220 suitable for automotive electronic systems?
Yes, the GB10SLT12-220 is suitable for use in automotive electronic systems.
7. Does the GB10SLT12-220 have built-in overcurrent protection?
No, the GB10SLT12-220 does not have built-in overcurrent protection and requires external circuitry for protection.
8. What is the typical junction-to-case thermal resistance of the GB10SLT12-220?
The typical junction-to-case thermal resistance of the GB10SLT12-220 is 3.5°C/W.
9. Can the GB10SLT12-220 be used in parallel for higher current applications?
Yes, the GB10SLT12-220 can be used in parallel to achieve higher current handling capabilities.
10. What is the storage temperature range for the GB10SLT12-220 semiconductor?
The storage temperature range for the GB10SLT12-220 semiconductor is -55°C to 175°C.
The maximum operating temperature for the GB10SLT12-220 semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the GB10SLT12-220 at its rated current?
The typical forward voltage drop for the GB10SLT12-220 at its rated current is 0.7V.
3. What is the reverse recovery time of the GB10SLT12-220 semiconductor?
The reverse recovery time of the GB10SLT12-220 semiconductor is typically 50 nanoseconds.
4. Can the GB10SLT12-220 handle high-frequency switching applications?
Yes, the GB10SLT12-220 is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
5. What is the maximum continuous forward current rating for the GB10SLT12-220?
The maximum continuous forward current rating for the GB10SLT12-220 is 10A.
6. Is the GB10SLT12-220 suitable for automotive electronic systems?
Yes, the GB10SLT12-220 is suitable for use in automotive electronic systems.
7. Does the GB10SLT12-220 have built-in overcurrent protection?
No, the GB10SLT12-220 does not have built-in overcurrent protection and requires external circuitry for protection.
8. What is the typical junction-to-case thermal resistance of the GB10SLT12-220?
The typical junction-to-case thermal resistance of the GB10SLT12-220 is 3.5°C/W.
9. Can the GB10SLT12-220 be used in parallel for higher current applications?
Yes, the GB10SLT12-220 can be used in parallel to achieve higher current handling capabilities.
10. What is the storage temperature range for the GB10SLT12-220 semiconductor?
The storage temperature range for the GB10SLT12-220 semiconductor is -55°C to 175°C.
GB10SLT12-220 Змяненні, ключавыя словы
:
GB10SLT12-220 Кошт
GB10SLT12-220 Малюнак
GB10SLT12-220 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "GB10"