SI4823DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SI4823DY-T1-E3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
SI4823DY-T1-E3 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (макс.) :
±12V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
1.5V @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
12nC @ 10V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
20V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
2.5V, 4.5V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SO
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
серыял :
LITTLE FOOT®
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
4.1A (Tc)
Тып FET :
P-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
660pF @ 10V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
Schottky Diode (Isolated)
Частка Статус :
Last Time Buy
в наличии
16,661
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SI4823DY-T1-E3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SI4823DY-T1-E3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SI4823DY-T1-E3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SI4823DY-T1-E3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SI4823DY-T1-E3 Асаблівасці
SI4823DY-T1-E3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
SI4823DY-T1-E3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SI4823DY-T1-E3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Siliconix.
SI4823DY-T1-E3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4823DY-T1-E3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4823DY-T1-E3 (PDF), кошт SI4823DY-T1-E3, Распіноўка SI4823DY-T1-E3, кіраўніцтва SI4823DY-T1-E3 і рашэнне на замену SI4823DY-T1-E3.
SI4823DY-T1-E3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4823DY-T1-E3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4823DY-T1-E3 (PDF), кошт SI4823DY-T1-E3, Распіноўка SI4823DY-T1-E3, кіраўніцтва SI4823DY-T1-E3 і рашэнне на замену SI4823DY-T1-E3.
SI4823DY-T1-E3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum drain-source voltage for the SI4823DY-T1-E3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance of the SI4823DY-T1-E3?
The typical on-resistance of the SI4823DY-T1-E3 is 25mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum continuous drain current for the SI4823DY-T1-E3 is 120A.
4. What is the gate threshold voltage of the SI4823DY-T1-E3?
The gate threshold voltage of the SI4823DY-T1-E3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum junction temperature for the SI4823DY-T1-E3 is 150°C.
6. What is the input capacitance of the SI4823DY-T1-E3?
The input capacitance of the SI4823DY-T1-E3 is typically 5200pF.
7. What is the total power dissipation of the SI4823DY-T1-E3?
The total power dissipation of the SI4823DY-T1-E3 is 2.5W.
8. What is the typical turn-on delay time of the SI4823DY-T1-E3?
The typical turn-on delay time of the SI4823DY-T1-E3 is 9ns.
9. What is the typical turn-off delay time of the SI4823DY-T1-E3?
The typical turn-off delay time of the SI4823DY-T1-E3 is 19ns.
10. What is the maximum reverse recovery time of the SI4823DY-T1-E3?
The maximum reverse recovery time of the SI4823DY-T1-E3 is 35ns.
The maximum drain-source voltage for the SI4823DY-T1-E3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance of the SI4823DY-T1-E3?
The typical on-resistance of the SI4823DY-T1-E3 is 25mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum continuous drain current for the SI4823DY-T1-E3 is 120A.
4. What is the gate threshold voltage of the SI4823DY-T1-E3?
The gate threshold voltage of the SI4823DY-T1-E3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum junction temperature for the SI4823DY-T1-E3 is 150°C.
6. What is the input capacitance of the SI4823DY-T1-E3?
The input capacitance of the SI4823DY-T1-E3 is typically 5200pF.
7. What is the total power dissipation of the SI4823DY-T1-E3?
The total power dissipation of the SI4823DY-T1-E3 is 2.5W.
8. What is the typical turn-on delay time of the SI4823DY-T1-E3?
The typical turn-on delay time of the SI4823DY-T1-E3 is 9ns.
9. What is the typical turn-off delay time of the SI4823DY-T1-E3?
The typical turn-off delay time of the SI4823DY-T1-E3 is 19ns.
10. What is the maximum reverse recovery time of the SI4823DY-T1-E3?
The maximum reverse recovery time of the SI4823DY-T1-E3 is 35ns.
SI4823DY-T1-E3 Змяненні, ключавыя словы
:
SI4823DY-T1-E3 Кошт
SI4823DY-T1-E3 Малюнак
SI4823DY-T1-E3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SI48"
