SI4776DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SI4776DY-T1-GE3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
SI4776DY-T1-GE3 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (макс.) :
±20V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
2.3V @ 1mA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
17.5nC @ 10V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
30V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
4.5V, 10V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SO
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TA)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
4.1W (Tc)
серыял :
SkyFET®, TrenchFET®
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
11.9A (Tc)
Тып FET :
N-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
521pF @ 15V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Last Time Buy
в наличии
44,861
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SI4776DY-T1-GE3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SI4776DY-T1-GE3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SI4776DY-T1-GE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SI4776DY-T1-GE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SI4776DY-T1-GE3 Асаблівасці
SI4776DY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
SI4776DY-T1-GE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SI4776DY-T1-GE3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Siliconix.
SI4776DY-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4776DY-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4776DY-T1-GE3 (PDF), кошт SI4776DY-T1-GE3, Распіноўка SI4776DY-T1-GE3, кіраўніцтва SI4776DY-T1-GE3 і рашэнне на замену SI4776DY-T1-GE3.
SI4776DY-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4776DY-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4776DY-T1-GE3 (PDF), кошт SI4776DY-T1-GE3, Распіноўка SI4776DY-T1-GE3, кіраўніцтва SI4776DY-T1-GE3 і рашэнне на замену SI4776DY-T1-GE3.
SI4776DY-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SI4776DY-T1-GE3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance of SI4776DY-T1-GE3?
The typical on-resistance of SI4776DY-T1-GE3 is 9.5 mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI4776DY-T1-GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage of SI4776DY-T1-GE3?
The gate threshold voltage of SI4776DY-T1-GE3 is typically 1.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI4776DY-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI4776DY-T1-GE3?
The input capacitance of SI4776DY-T1-GE3 is typically 5200pF.
7. What is the total gate charge of SI4776DY-T1-GE3?
The total gate charge of SI4776DY-T1-GE3 is typically 35nC.
8. What is the maximum power dissipation for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI4776DY-T1-GE3 is 2.5W.
9. What is the operating temperature range for SI4776DY-T1-GE3?
The operating temperature range for SI4776DY-T1-GE3 is -55°C to 150°C.
10. What is the package type of SI4776DY-T1-GE3?
SI4776DY-T1-GE3 comes in a DPAK-3 package.
The maximum drain-source voltage for SI4776DY-T1-GE3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance of SI4776DY-T1-GE3?
The typical on-resistance of SI4776DY-T1-GE3 is 9.5 mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI4776DY-T1-GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage of SI4776DY-T1-GE3?
The gate threshold voltage of SI4776DY-T1-GE3 is typically 1.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI4776DY-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI4776DY-T1-GE3?
The input capacitance of SI4776DY-T1-GE3 is typically 5200pF.
7. What is the total gate charge of SI4776DY-T1-GE3?
The total gate charge of SI4776DY-T1-GE3 is typically 35nC.
8. What is the maximum power dissipation for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI4776DY-T1-GE3 is 2.5W.
9. What is the operating temperature range for SI4776DY-T1-GE3?
The operating temperature range for SI4776DY-T1-GE3 is -55°C to 150°C.
10. What is the package type of SI4776DY-T1-GE3?
SI4776DY-T1-GE3 comes in a DPAK-3 package.
SI4776DY-T1-GE3 Змяненні, ключавыя словы
:
SI4776DY-T1-GE3 Кошт
SI4776DY-T1-GE3 Малюнак
SI4776DY-T1-GE3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SI47"
