SI4330DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы     
Нумар вытворцы:
SI4330DY-T1-GE3
Вытворца:
Апісанне:
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
16.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
3V @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
Магутнасць - Макс :
1.1W
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
30V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SO
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
TrenchFET®
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
6.6A
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Тып мацавання :
Surface Mount
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
-
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
Logic Level Gate
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
23,634
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

SI4330DY-T1-GE3 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SI4330DY-T1-GE3 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc SI4330DY-T1-GE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на SI4330DY-T1-GE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

SI4330DY-T1-GE3 Асаблівасці

SI4330DY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы.
  

SI4330DY-T1-GE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
SI4330DY-T1-GE3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Vishay Siliconix.
SI4330DY-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4330DY-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4330DY-T1-GE3 (PDF), кошт SI4330DY-T1-GE3, Распіноўка SI4330DY-T1-GE3, кіраўніцтва SI4330DY-T1-GE3 і рашэнне на замену SI4330DY-T1-GE3.
  

SI4330DY-T1-GE3 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI4330DY-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SI4330DY-T1-GE3 is 30V.

2. What is the continuous drain current rating for SI4330DY-T1-GE3?
The continuous drain current rating for SI4330DY-T1-GE3 is 12A.

3. What is the on-resistance of SI4330DY-T1-GE3 at a specific gate-source voltage?
The on-resistance of SI4330DY-T1-GE3 at a gate-source voltage of 10V is typically 8mΩ.

4. Can SI4330DY-T1-GE3 be used in automotive applications?
Yes, SI4330DY-T1-GE3 is suitable for use in automotive applications.

5. What is the operating temperature range for SI4330DY-T1-GE3?
SI4330DY-T1-GE3 has an operating temperature range of -55°C to 150°C.

6. Does SI4330DY-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, SI4330DY-T1-GE3 features built-in ESD protection.

7. What is the typical input capacitance of SI4330DY-T1-GE3?
The typical input capacitance of SI4330DY-T1-GE3 is 3700pF.

8. Is SI4330DY-T1-GE3 RoHS compliant?
Yes, SI4330DY-T1-GE3 is RoHS compliant.

9. What is the package type of SI4330DY-T1-GE3?
SI4330DY-T1-GE3 is available in a DPAK (TO-252) package.

10. Can SI4330DY-T1-GE3 be used in high-frequency switching applications?
Yes, SI4330DY-T1-GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
  

SI4330DY-T1-GE3 Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "SI43"