BU2506-E3/51 Vishay Semiconductor Diodes Division RECTIFIER BRIDGE 600V 25A BU
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
BU2506-E3/51
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
RECTIFIER BRIDGE 600V 25A BU
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
BU2506-E3/51 Табліцы дадзеных(PDF)
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
1.05V @ 12.5A
Напружанне - пік зваротнага (макс.) :
600V
Пакет / Чахол :
4-SIP, BU
Пакет прылады пастаўшчыка :
isoCINK+™ BU
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 600V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
3.5A
Тып мацавання :
Through Hole
Тэхналогія :
Standard
Ўпакоўка :
Tray
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
Single Phase
в наличии
55,137
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
BU2506-E3/51 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць BU2506-E3/51 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc BU2506-E3/51. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на BU2506-E3/51. Націсніце, каб атрымаць прапанову
BU2506-E3/51 Асаблівасці
BU2506-E3/51 is produced by Vishay Semiconductor Diodes Division, belongs to Дыёды - Маставыя выпрамнікі.
BU2506-E3/51 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
BU2506-E3/51 - гэта Дыёды - Маставыя выпрамнікі, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Semiconductor Diodes Division.
BU2506-E3/51 вытворчасці Vishay Semiconductor Diodes Division можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BU2506-E3/51 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BU2506-E3/51 (PDF), кошт BU2506-E3/51, Распіноўка BU2506-E3/51, кіраўніцтва BU2506-E3/51 і рашэнне на замену BU2506-E3/51.
BU2506-E3/51 вытворчасці Vishay Semiconductor Diodes Division можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BU2506-E3/51 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BU2506-E3/51 (PDF), кошт BU2506-E3/51, Распіноўка BU2506-E3/51, кіраўніцтва BU2506-E3/51 і рашэнне на замену BU2506-E3/51.
BU2506-E3/51 FAQ
:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for BU2506-E3/51?
The maximum collector current (IC) rating for BU2506-E3/51 is 8A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCE) for BU2506-E3/51?
The maximum collector-emitter voltage (VCE) for BU2506-E3/51 is 700V.
3. What is the typical DC current gain (hFE) for BU2506-E3/51?
The typical DC current gain (hFE) for BU2506-E3/51 is 15-60 at IC = 4A.
4. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for BU2506-E3/51?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for BU2506-E3/51 is 1.5°C/W.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) for BU2506-E3/51?
The maximum junction temperature (Tj) for BU2506-E3/51 is 150°C.
6. What is the storage temperature range for BU2506-E3/51?
The storage temperature range for BU2506-E3/51 is -65°C to 150°C.
7. What is the recommended mounting torque for BU2506-E3/51?
The recommended mounting torque for BU2506-E3/51 is 0.6 Nm.
8. What is the package type for BU2506-E3/51?
The package type for BU2506-E3/51 is TO-220AB.
9. What is the gate-emitter voltage (VGE) for BU2506-E3/51?
The gate-emitter voltage (VGE) for BU2506-E3/51 is ±20V.
10. What is the on-state voltage (VCE(sat)) for BU2506-E3/51 at IC = 4A?
The on-state voltage (VCE(sat)) for BU2506-E3/51 at IC = 4A is 2.5V.
The maximum collector current (IC) rating for BU2506-E3/51 is 8A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCE) for BU2506-E3/51?
The maximum collector-emitter voltage (VCE) for BU2506-E3/51 is 700V.
3. What is the typical DC current gain (hFE) for BU2506-E3/51?
The typical DC current gain (hFE) for BU2506-E3/51 is 15-60 at IC = 4A.
4. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for BU2506-E3/51?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for BU2506-E3/51 is 1.5°C/W.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) for BU2506-E3/51?
The maximum junction temperature (Tj) for BU2506-E3/51 is 150°C.
6. What is the storage temperature range for BU2506-E3/51?
The storage temperature range for BU2506-E3/51 is -65°C to 150°C.
7. What is the recommended mounting torque for BU2506-E3/51?
The recommended mounting torque for BU2506-E3/51 is 0.6 Nm.
8. What is the package type for BU2506-E3/51?
The package type for BU2506-E3/51 is TO-220AB.
9. What is the gate-emitter voltage (VGE) for BU2506-E3/51?
The gate-emitter voltage (VGE) for BU2506-E3/51 is ±20V.
10. What is the on-state voltage (VCE(sat)) for BU2506-E3/51 at IC = 4A?
The on-state voltage (VCE(sat)) for BU2506-E3/51 at IC = 4A is 2.5V.
BU2506-E3/51 Змяненні, ключавыя словы
:
BU2506-E3/51 Кошт
BU2506-E3/51 Малюнак
BU2506-E3/51 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "BU25"