MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
MT3S111P(TE12L,F)
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
MT3S111P(TE12L,F) Табліцы дадзеных(PDF)
Выйгрыш :
10.5dB
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
200 @ 30mA, 5V
Каэфіцыент шуму (дБ Typ @ f) :
1.25dB @ 1GHz
Магутнасць - Макс :
1W
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
6V
Пакет / Чахол :
TO-243AA
Пакет прылады пастаўшчыка :
PW-MINI
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
100mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
NPN
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частата - Пераход :
8GHz
Частка Статус :
Active
в наличии
30,826
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT3S111P(TE12L,F) Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT3S111P(TE12L,F) больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT3S111P(TE12L,F). Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT3S111P(TE12L,F). Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT3S111P(TE12L,F) Асаблівасці
MT3S111P(TE12L,F) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - RF.
MT3S111P(TE12L,F) Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT3S111P(TE12L,F) - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - RF, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Toshiba Semiconductor and Storage.
MT3S111P(TE12L,F) вытворчасці Toshiba Semiconductor and Storage можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT3S111P(TE12L,F) кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT3S111P(TE12L,F) (PDF), кошт MT3S111P(TE12L,F), Распіноўка MT3S111P(TE12L,F), кіраўніцтва MT3S111P(TE12L,F) і рашэнне на замену MT3S111P(TE12L,F).
MT3S111P(TE12L,F) вытворчасці Toshiba Semiconductor and Storage можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT3S111P(TE12L,F) кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT3S111P(TE12L,F) (PDF), кошт MT3S111P(TE12L,F), Распіноўка MT3S111P(TE12L,F), кіраўніцтва MT3S111P(TE12L,F) і рашэнне на замену MT3S111P(TE12L,F).
MT3S111P(TE12L,F) FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 3.7A.
3. What is the on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 60mΩ.
4. What is the gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1.5V.
5. What is the total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 8.6nC.
6. What is the input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1100pF.
7. What is the output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 200pF.
8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 150pF.
9. What is the junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is -55°C to 150°C.
10. What is the package type and lead finish of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The MT3S111P(TE12L,F) MOSFET comes in a DPAK (TO-252) package with lead-free plating.
The maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 3.7A.
3. What is the on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 60mΩ.
4. What is the gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1.5V.
5. What is the total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 8.6nC.
6. What is the input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1100pF.
7. What is the output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 200pF.
8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 150pF.
9. What is the junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is -55°C to 150°C.
10. What is the package type and lead finish of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The MT3S111P(TE12L,F) MOSFET comes in a DPAK (TO-252) package with lead-free plating.
MT3S111P(TE12L,F) Змяненні, ключавыя словы
:
MT3S111P(TE12L,F) Кошт
MT3S111P(TE12L,F) Малюнак
MT3S111P(TE12L,F) Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT3S"
