CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
CMG06(TE12L,Q,M)
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
CMG06(TE12L,Q,M) Табліцы дадзеных(PDF)
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
600V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
1.1V @ 1A
Пакет / Чахол :
SOD-128
Пакет прылады пастаўшчыка :
M-FLAT (2.4x3.8)
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-40°C ~ 150°C
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 600V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
1A
Тып мацавання :
Surface Mount
Ўпакоўка :
-
хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
-
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
Standard
в наличии
26,390
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
CMG06(TE12L,Q,M) Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць CMG06(TE12L,Q,M) больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc CMG06(TE12L,Q,M). Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на CMG06(TE12L,Q,M). Націсніце, каб атрымаць прапанову
CMG06(TE12L,Q,M) Асаблівасці
CMG06(TE12L,Q,M) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
CMG06(TE12L,Q,M) Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
CMG06(TE12L,Q,M) - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Toshiba Semiconductor and Storage.
CMG06(TE12L,Q,M) вытворчасці Toshiba Semiconductor and Storage можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
CMG06(TE12L,Q,M) кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных CMG06(TE12L,Q,M) (PDF), кошт CMG06(TE12L,Q,M), Распіноўка CMG06(TE12L,Q,M), кіраўніцтва CMG06(TE12L,Q,M) і рашэнне на замену CMG06(TE12L,Q,M).
CMG06(TE12L,Q,M) вытворчасці Toshiba Semiconductor and Storage можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
CMG06(TE12L,Q,M) кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных CMG06(TE12L,Q,M) (PDF), кошт CMG06(TE12L,Q,M), Распіноўка CMG06(TE12L,Q,M), кіраўніцтва CMG06(TE12L,Q,M) і рашэнне на замену CMG06(TE12L,Q,M).
CMG06(TE12L,Q,M) FAQ
:
1. What is the maximum forward current for the CMG06(TE12L,Q,M) diode?
The maximum forward current for the CMG06(TE12L,Q,M) diode is 200 mA.
2. What is the reverse voltage rating of the CMG06(TE12L,Q,M) diode?
The reverse voltage rating of the CMG06(TE12L,Q,M) diode is 40 V.
3. Can the CMG06(TE12L,Q,M) diode be used in high-frequency applications?
Yes, the CMG06(TE12L,Q,M) diode is suitable for high-frequency applications.
4. What is the typical junction capacitance of the CMG06(TE12L,Q,M) diode?
The typical junction capacitance of the CMG06(TE12L,Q,M) diode is 0.6 pF.
5. Is the CMG06(TE12L,Q,M) diode RoHS compliant?
Yes, the CMG06(TE12L,Q,M) diode is RoHS compliant.
6. What is the operating temperature range for the CMG06(TE12L,Q,M) diode?
The operating temperature range for the CMG06(TE12L,Q,M) diode is -55°C to +150°C.
7. Does the CMG06(TE12L,Q,M) diode require a heat sink for operation?
A heat sink is not typically required for the CMG06(TE12L,Q,M) diode under normal operating conditions.
8. What is the package type of the CMG06(TE12L,Q,M) diode?
The CMG06(TE12L,Q,M) diode is available in a SOD-323 package.
9. Can the CMG06(TE12L,Q,M) diode handle pulsed current?
Yes, the CMG06(TE12L,Q,M) diode can handle pulsed current up to its specified limits.
10. What is the typical forward voltage drop of the CMG06(TE12L,Q,M) diode at a forward current of 100 mA?
The typical forward voltage drop of the CMG06(TE12L,Q,M) diode at a forward current of 100 mA is 0.72 V.
The maximum forward current for the CMG06(TE12L,Q,M) diode is 200 mA.
2. What is the reverse voltage rating of the CMG06(TE12L,Q,M) diode?
The reverse voltage rating of the CMG06(TE12L,Q,M) diode is 40 V.
3. Can the CMG06(TE12L,Q,M) diode be used in high-frequency applications?
Yes, the CMG06(TE12L,Q,M) diode is suitable for high-frequency applications.
4. What is the typical junction capacitance of the CMG06(TE12L,Q,M) diode?
The typical junction capacitance of the CMG06(TE12L,Q,M) diode is 0.6 pF.
5. Is the CMG06(TE12L,Q,M) diode RoHS compliant?
Yes, the CMG06(TE12L,Q,M) diode is RoHS compliant.
6. What is the operating temperature range for the CMG06(TE12L,Q,M) diode?
The operating temperature range for the CMG06(TE12L,Q,M) diode is -55°C to +150°C.
7. Does the CMG06(TE12L,Q,M) diode require a heat sink for operation?
A heat sink is not typically required for the CMG06(TE12L,Q,M) diode under normal operating conditions.
8. What is the package type of the CMG06(TE12L,Q,M) diode?
The CMG06(TE12L,Q,M) diode is available in a SOD-323 package.
9. Can the CMG06(TE12L,Q,M) diode handle pulsed current?
Yes, the CMG06(TE12L,Q,M) diode can handle pulsed current up to its specified limits.
10. What is the typical forward voltage drop of the CMG06(TE12L,Q,M) diode at a forward current of 100 mA?
The typical forward voltage drop of the CMG06(TE12L,Q,M) diode at a forward current of 100 mA is 0.72 V.
CMG06(TE12L,Q,M) Змяненні, ключавыя словы
:
CMG06(TE12L,Q,M) Кошт
CMG06(TE12L,Q,M) Малюнак
CMG06(TE12L,Q,M) Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "CMG0"