2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
2SC5200N(S1,E,S)
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
2SC5200N(S1,E,S) Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
80 @ 1A, 5V
Магутнасць - Макс :
150W
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
230V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
3V @ 800mA, 8A
Пакет / Чахол :
TO-3P-3, SC-65-3
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-3P(N)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
5µA (ICBO)
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
15A
Тып мацавання :
Through Hole
Тып транзістара :
NPN
Ўпакоўка :
Tube
Частата - Пераход :
30MHz
Частка Статус :
Active
в наличии
30,612
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
2SC5200N(S1,E,S) Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 2SC5200N(S1,E,S) больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 2SC5200N(S1,E,S). Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 2SC5200N(S1,E,S). Націсніце, каб атрымаць прапанову
2SC5200N(S1,E,S) Асаблівасці
2SC5200N(S1,E,S) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя.
2SC5200N(S1,E,S) Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
2SC5200N(S1,E,S) - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Toshiba Semiconductor and Storage.
2SC5200N(S1,E,S) вытворчасці Toshiba Semiconductor and Storage можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
2SC5200N(S1,E,S) кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 2SC5200N(S1,E,S) (PDF), кошт 2SC5200N(S1,E,S), Распіноўка 2SC5200N(S1,E,S), кіраўніцтва 2SC5200N(S1,E,S) і рашэнне на замену 2SC5200N(S1,E,S).
2SC5200N(S1,E,S) вытворчасці Toshiba Semiconductor and Storage можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
2SC5200N(S1,E,S) кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 2SC5200N(S1,E,S) (PDF), кошт 2SC5200N(S1,E,S), Распіноўка 2SC5200N(S1,E,S), кіраўніцтва 2SC5200N(S1,E,S) і рашэнне на замену 2SC5200N(S1,E,S).
2SC5200N(S1,E,S) FAQ
:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum collector current (IC) rating for the 2SC5200N(S1,E,S) is 15A.
2. What is the maximum collector power dissipation (PC) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum collector power dissipation (PC) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 150W.
3. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 230V.
4. What is the typical DC current gain (hFE) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The typical DC current gain (hFE) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 55.
5. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 1.25°C/W.
6. What is the storage temperature range for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The storage temperature range for the 2SC5200N(S1,E,S) is -55°C to 150°C.
7. What is the transition frequency (fT) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The transition frequency (fT) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 30MHz.
8. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 5V.
9. What is the recommended operating collector current (IC) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The recommended operating collector current (IC) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 8A.
10. What is the package type for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The package type for the 2SC5200N(S1,E,S) is TO-3P.
The maximum collector current (IC) rating for the 2SC5200N(S1,E,S) is 15A.
2. What is the maximum collector power dissipation (PC) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum collector power dissipation (PC) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 150W.
3. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 230V.
4. What is the typical DC current gain (hFE) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The typical DC current gain (hFE) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 55.
5. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 1.25°C/W.
6. What is the storage temperature range for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The storage temperature range for the 2SC5200N(S1,E,S) is -55°C to 150°C.
7. What is the transition frequency (fT) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The transition frequency (fT) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 30MHz.
8. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 5V.
9. What is the recommended operating collector current (IC) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The recommended operating collector current (IC) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 8A.
10. What is the package type for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The package type for the 2SC5200N(S1,E,S) is TO-3P.
2SC5200N(S1,E,S) Змяненні, ключавыя словы
:
2SC5200N(S1,E,S) Кошт
2SC5200N(S1,E,S) Малюнак
2SC5200N(S1,E,S) Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "2SC5"