+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Звяжыцеся з намі  |  Становішчы і ўмовы
Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC

Сяброўства

Сардэчна запрашаем у Chipic

Мае асабістыя дадзеныя. Статус замовы & amp; Гісторыя Запыт Кіраванне адрасамі
РэгістрацыяАбоРэгістрацыя
  1. Галоўная
  2. катэгорыі
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. аб'ём памяці
  5. TC58NYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA
TC58NYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA
TC58NYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA

TC58NYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
TC58NYG1S3HBAI6
Вытворца:
Toshiba Memory America, Inc.
Катэгорыя прадукцыі:
аб'ём памяці
Апісанне:
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
TC58NYG1S3HBAI6 Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 1.95 V
Пакет / Чахол :
67-VFBGA
Пакет прылады пастаўшчыка :
67-VFBGA (6.5x8)
Памер памяці :
2Gb (256M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND (SLC)
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
25ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
25ns
Частка Статус :
Active
в наличии
36,200
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

TC58NYG1S3HBAI6 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць TC58NYG1S3HBAI6 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc TC58NYG1S3HBAI6. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на TC58NYG1S3HBAI6. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

TC58NYG1S3HBAI6 Асаблівасці

TC58NYG1S3HBAI6 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

TC58NYG1S3HBAI6 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
TC58NYG1S3HBAI6 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Toshiba Memory America, Inc..
TC58NYG1S3HBAI6 вытворчасці Toshiba Memory America, Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
TC58NYG1S3HBAI6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных TC58NYG1S3HBAI6 (PDF), кошт TC58NYG1S3HBAI6, Распіноўка TC58NYG1S3HBAI6, кіраўніцтва TC58NYG1S3HBAI6 і рашэнне на замену TC58NYG1S3HBAI6.
  

TC58NYG1S3HBAI6 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 166MHz.

2. What is the typical power consumption of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations is 60mA.

3. Can the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.

4. What is the data transfer rate of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The data transfer rate of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 52MB/s.

5. Does the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory supports hardware data protection features such as block locking and OTP (One-Time Programmable) area.

6. What is the maximum capacity of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The maximum capacity of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 64Gb.

7. Is the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory compatible with 3.3V and 1.8V power supplies?
Yes, the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is compatible with both 3.3V and 1.8V power supplies.

8. What is the typical program and erase cycle endurance of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The typical program and erase cycle endurance of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 3,000 cycles.

9. Does the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory support SLC (Single-Level Cell) and MLC (Multi-Level Cell) configurations?
Yes, the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory supports both SLC and MLC configurations.

10. What are the recommended operating and storage temperature ranges for the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The recommended operating temperature range for the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is -25°C to 85°C, and the recommended storage temperature range is -40°C to 85°C.
  

TC58NYG1S3HBAI6 Змяненні, ключавыя словы

:
TC58NYG1S3HBAI6 Кошт
TC58NYG1S3HBAI6 Тэхнічная спецыфікацыя
TC58NYG1S3HBAI6 Малюнак
TC58NYG1S3HBAI6 PDF
TC58NYG1S3HBAI6 Тэхнічныя характарыстыкі
TC58NYG1S3HBAI6 Напружанне на выснове
TC58NYG1S3HBAI6 Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "TC58"