TC58NVG1S3ETAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP

Інтэгральныя схемы (ІС)

Нумар вытворцы:

TC58NVG1S3ETAI0

Вытворца:

Toshiba Memory America, Inc.

Катэгорыя прадукцыі:

аб'ём памяці

Апісанне:

IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP

Стан RoHs:

Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS

Табліцы дадзеных:

TC58NVG1S3ETAI0 Табліцы дадзеных(PDF)

Інтэрфейс памяці :

Parallel

Напружанне - сілкаванне :

2.7 V ~ 3.6 V

Пакет / Чахол :

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Пакет прылады пастаўшчыка :

48-TSOP I

Памер памяці :

2Gb (256M x 8)

Працоўная тэмпература :

-40°C ~ 85°C (TA)

серыял :

Тактавая частата :

Тып мацавання :

Surface Mount

Тып памяці :

Non-Volatile

Тэхналогія :

FLASH - NAND (SLC)

Ўпакоўка :

Tray

Фармат памяці :

Flash

Час доступу :

25ns

Час цыкла запісу - слова, старонка :

25ns

Частка Статус :

Active

в наличии

26,834

Unit Price:

Звяжыцеся з намі Прапанова

TC58NVG1S3ETAI0 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць TC58NVG1S3ETAI0 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc TC58NVG1S3ETAI0. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на TC58NVG1S3ETAI0. Націсніце, каб атрымаць прапанову

TC58NVG1S3ETAI0 Асаблівасці

TC58NVG1S3ETAI0 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to аб'ём памяці.

TC58NVG1S3ETAI0 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

TC58NVG1S3ETAI0 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Toshiba Memory America, Inc..
TC58NVG1S3ETAI0 вытворчасці Toshiba Memory America, Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
TC58NVG1S3ETAI0 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных TC58NVG1S3ETAI0 (PDF), кошт TC58NVG1S3ETAI0, Распіноўка TC58NVG1S3ETAI0, кіраўніцтва TC58NVG1S3ETAI0 і рашэнне на замену TC58NVG1S3ETAI0.

TC58NVG1S3ETAI0 FAQ

1. What is the maximum operating frequency of the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory is 104MHz.

2. What is the typical power consumption of the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory during read operations is 30mA.

3. Can the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory be operated at different voltage levels?
Yes, the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory can be operated at voltage levels ranging from 2.7V to 3.6V.

4. What is the maximum data transfer rate supported by the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory?
The maximum data transfer rate supported by the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory is 208MB/s.

5. Does the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory supports hardware data protection features such as block locking and OTP (One-Time Programmable) area.

6. What are the available capacities for the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory?
The TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory is available in capacities ranging from 1GB to 8GB.

7. Is the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory compatible with standard NAND interface protocols?
Yes, the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory is compatible with standard NAND interface protocols such as ONFI (Open NAND Flash Interface) and Toggle Mode.

8. What is the typical program/erase cycle endurance of the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory is 3,000 cycles.

9. Does the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory support advanced error correction mechanisms?
Yes, the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory supports advanced error correction mechanisms such as BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) ECC (Error Correction Code).

10. What is the temperature range for operation of the TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory?
The TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory is designed for operation within a temperature range of -40°C to 85°C.

TC58NVG1S3ETAI0 Змяненні, ключавыя словы

TC58NVG1S3ETAI0 Кошт

TC58NVG1S3ETAI0 Тэхнічная спецыфікацыя

TC58NVG1S3ETAI0 Малюнак

TC58NVG1S3ETAI0 PDF

TC58NVG1S3ETAI0 Тэхнічныя характарыстыкі

TC58NVG1S3ETAI0 Напружанне на выснове

TC58NVG1S3ETAI0 Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.