+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Звяжыцеся з намі  |  Становішчы і ўмовы
Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC

Сяброўства

Сардэчна запрашаем у Chipic

Мае асабістыя дадзеныя. Статус замовы & amp; Гісторыя Запыт Кіраванне адрасамі
РэгістрацыяАбоРэгістрацыя
  1. Галоўная
  2. катэгорыі
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. аб'ём памяці
  5. TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA

TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
TC58NVG1S3HBAI4
Вытворца:
Toshiba Memory America, Inc.
Катэгорыя прадукцыі:
аб'ём памяці
Апісанне:
IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
TC58NVG1S3HBAI4 Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
63-VFBGA
Пакет прылады пастаўшчыка :
63-TFBGA (9x11)
Памер памяці :
2Gb (256M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND (SLC)
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
25ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
25ns
Частка Статус :
Active
в наличии
19,787
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

TC58NVG1S3HBAI4 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць TC58NVG1S3HBAI4 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc TC58NVG1S3HBAI4. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на TC58NVG1S3HBAI4. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

TC58NVG1S3HBAI4 Асаблівасці

TC58NVG1S3HBAI4 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

TC58NVG1S3HBAI4 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
TC58NVG1S3HBAI4 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Toshiba Memory America, Inc..
TC58NVG1S3HBAI4 вытворчасці Toshiba Memory America, Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
TC58NVG1S3HBAI4 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных TC58NVG1S3HBAI4 (PDF), кошт TC58NVG1S3HBAI4, Распіноўка TC58NVG1S3HBAI4, кіраўніцтва TC58NVG1S3HBAI4 і рашэнне на замену TC58NVG1S3HBAI4.
  

TC58NVG1S3HBAI4 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 83MHz.

2. What is the typical power consumption of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory during read operations is 25mA.

3. Can the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the maximum data transfer rate supported by the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory supports a maximum data transfer rate of 166 megabytes per second (MB/s).

5. Does the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory supports hardware data protection features such as block locking and OTP (One-Time Programmable) area.

6. What is the typical program/erase cycle endurance of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 3,000 cycles.

7. Is the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface) 3.0.

8. What is the voltage supply range for the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The voltage supply range for the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

9. Does the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory support advanced error correction capabilities?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory supports advanced error correction capabilities such as BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) algorithm.

10. What is the typical data retention period of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The typical data retention period of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 10 years.
  

TC58NVG1S3HBAI4 Змяненні, ключавыя словы

:
TC58NVG1S3HBAI4 Кошт
TC58NVG1S3HBAI4 Тэхнічная спецыфікацыя
TC58NVG1S3HBAI4 Малюнак
TC58NVG1S3HBAI4 PDF
TC58NVG1S3HBAI4 Тэхнічныя характарыстыкі
TC58NVG1S3HBAI4 Напружанне на выснове
TC58NVG1S3HBAI4 Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "TC58"