LL5817 L0G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
LL5817 L0G
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
LL5817 L0G Табліцы дадзеных(PDF)
Ёмістасць @ Vr, F :
110pF @ 4V, 1MHz
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
20V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
750mV @ 3A
Пакет / Чахол :
DO-213AB, MELF
Пакет прылады пастаўшчыка :
MELF
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-65°C ~ 125°C
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
500µA @ 20V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
1A
Тып мацавання :
Surface Mount
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
хуткасць :
Fast Recovery = 200mA (Io)
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
-
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
Schottky
в наличии
47,642
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
LL5817 L0G Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць LL5817 L0G больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc LL5817 L0G. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на LL5817 L0G. Націсніце, каб атрымаць прапанову
LL5817 L0G Асаблівасці
LL5817 L0G is produced by Taiwan Semiconductor Corporation, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
LL5817 L0G Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
LL5817 L0G - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Taiwan Semiconductor Corporation.
LL5817 L0G вытворчасці Taiwan Semiconductor Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
LL5817 L0G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных LL5817 L0G (PDF), кошт LL5817 L0G, Распіноўка LL5817 L0G, кіраўніцтва LL5817 L0G і рашэнне на замену LL5817 L0G.
LL5817 L0G вытворчасці Taiwan Semiconductor Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
LL5817 L0G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных LL5817 L0G (PDF), кошт LL5817 L0G, Распіноўка LL5817 L0G, кіраўніцтва LL5817 L0G і рашэнне на замену LL5817 L0G.
LL5817 L0G FAQ
:
1. What is the maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM) of the LL5817 L0G diode?
The maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM) of the LL5817 L0G diode is 20 volts.
2. What is the average forward current (IF(AV)) rating of the LL5817 L0G diode?
The average forward current (IF(AV)) rating of the LL5817 L0G diode is 1 ampere.
3. What is the maximum forward voltage drop (VF) of the LL5817 L0G diode at a forward current of 1A?
The maximum forward voltage drop (VF) of the LL5817 L0G diode at a forward current of 1A is 0.55 volts.
4. What is the reverse recovery time (trr) of the LL5817 L0G diode?
The reverse recovery time (trr) of the LL5817 L0G diode is 50 nanoseconds.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) for the LL5817 L0G diode?
The maximum junction temperature (Tj) for the LL5817 L0G diode is 175 degrees Celsius.
6. What is the typical thermal resistance (RthJA) of the LL5817 L0G diode?
The typical thermal resistance (RthJA) of the LL5817 L0G diode is 60 degrees Celsius per watt.
7. What is the storage temperature range for the LL5817 L0G diode?
The storage temperature range for the LL5817 L0G diode is -65 to 175 degrees Celsius.
8. What is the maximum reverse leakage current (IR) of the LL5817 L0G diode at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current (IR) of the LL5817 L0G diode at its rated voltage is 10 microamperes.
9. What is the package type of the LL5817 L0G diode?
The package type of the LL5817 L0G diode is DO-41.
10. What are the key applications for the LL5817 L0G diode?
The key applications for the LL5817 L0G diode include polarity protection, freewheeling, and blocking.
The maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM) of the LL5817 L0G diode is 20 volts.
2. What is the average forward current (IF(AV)) rating of the LL5817 L0G diode?
The average forward current (IF(AV)) rating of the LL5817 L0G diode is 1 ampere.
3. What is the maximum forward voltage drop (VF) of the LL5817 L0G diode at a forward current of 1A?
The maximum forward voltage drop (VF) of the LL5817 L0G diode at a forward current of 1A is 0.55 volts.
4. What is the reverse recovery time (trr) of the LL5817 L0G diode?
The reverse recovery time (trr) of the LL5817 L0G diode is 50 nanoseconds.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) for the LL5817 L0G diode?
The maximum junction temperature (Tj) for the LL5817 L0G diode is 175 degrees Celsius.
6. What is the typical thermal resistance (RthJA) of the LL5817 L0G diode?
The typical thermal resistance (RthJA) of the LL5817 L0G diode is 60 degrees Celsius per watt.
7. What is the storage temperature range for the LL5817 L0G diode?
The storage temperature range for the LL5817 L0G diode is -65 to 175 degrees Celsius.
8. What is the maximum reverse leakage current (IR) of the LL5817 L0G diode at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current (IR) of the LL5817 L0G diode at its rated voltage is 10 microamperes.
9. What is the package type of the LL5817 L0G diode?
The package type of the LL5817 L0G diode is DO-41.
10. What are the key applications for the LL5817 L0G diode?
The key applications for the LL5817 L0G diode include polarity protection, freewheeling, and blocking.
LL5817 L0G Змяненні, ключавыя словы
:
LL5817 L0G Кошт
LL5817 L0G Малюнак
LL5817 L0G Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "LL58"