STV200N55F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
STV200N55F3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
STV200N55F3 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (макс.) :
±20V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
4V @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
100nC @ 10V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
55V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
10V
Пакет / Чахол :
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Пакет прылады пастаўшчыка :
10-PowerSO
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
300W (Tc)
серыял :
STripFET™
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
200A (Tc)
Тып FET :
N-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
6800pF @ 25V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
37,370
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
STV200N55F3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць STV200N55F3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc STV200N55F3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на STV200N55F3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
STV200N55F3 Асаблівасці
STV200N55F3 is produced by STMicroelectronics, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
STV200N55F3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
STV200N55F3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
STMicroelectronics.
STV200N55F3 вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
STV200N55F3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных STV200N55F3 (PDF), кошт STV200N55F3, Распіноўка STV200N55F3, кіраўніцтва STV200N55F3 і рашэнне на замену STV200N55F3.
STV200N55F3 вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
STV200N55F3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных STV200N55F3 (PDF), кошт STV200N55F3, Распіноўка STV200N55F3, кіраўніцтва STV200N55F3 і рашэнне на замену STV200N55F3.
STV200N55F3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the STV200N55F3 power MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the STV200N55F3 power MOSFET is 550 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the STV200N55F3 MOSFET?
The continuous drain current rating of the STV200N55F3 MOSFET is 200 amperes.
3. Can the STV200N55F3 handle high-temperature applications?
Yes, the STV200N55F3 is designed to handle high-temperature applications with a specified operating temperature range.
4. What is the typical on-resistance of the STV200N55F3 at room temperature?
The typical on-resistance of the STV200N55F3 at room temperature is 0.032 ohms.
5. Does the STV200N55F3 require a heat sink for proper operation?
Yes, due to its high power handling capability, the STV200N55F3 typically requires a heat sink for proper thermal management.
6. What is the gate threshold voltage of the STV200N55F3 MOSFET?
The gate threshold voltage of the STV200N55F3 MOSFET typically ranges from 2 to 4 volts.
7. Is the STV200N55F3 suitable for use in automotive applications?
Yes, the STV200N55F3 is suitable for use in automotive applications, provided it meets the specific requirements and standards.
8. What is the typical input capacitance of the STV200N55F3 at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the STV200N55F3 is specified in the datasheet and varies with voltage and frequency.
9. Can the STV200N55F3 be used in parallel to increase current-handling capability?
Yes, the STV200N55F3 can be used in parallel to increase the overall current-handling capability in certain applications.
10. What are the recommended storage and operating conditions for the STV200N55F3 MOSFET?
The recommended storage and operating conditions for the STV200N55F3 MOSFET are outlined in the product datasheet, including temperature, humidity, and other environmental factors.
The maximum drain-source voltage rating for the STV200N55F3 power MOSFET is 550 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the STV200N55F3 MOSFET?
The continuous drain current rating of the STV200N55F3 MOSFET is 200 amperes.
3. Can the STV200N55F3 handle high-temperature applications?
Yes, the STV200N55F3 is designed to handle high-temperature applications with a specified operating temperature range.
4. What is the typical on-resistance of the STV200N55F3 at room temperature?
The typical on-resistance of the STV200N55F3 at room temperature is 0.032 ohms.
5. Does the STV200N55F3 require a heat sink for proper operation?
Yes, due to its high power handling capability, the STV200N55F3 typically requires a heat sink for proper thermal management.
6. What is the gate threshold voltage of the STV200N55F3 MOSFET?
The gate threshold voltage of the STV200N55F3 MOSFET typically ranges from 2 to 4 volts.
7. Is the STV200N55F3 suitable for use in automotive applications?
Yes, the STV200N55F3 is suitable for use in automotive applications, provided it meets the specific requirements and standards.
8. What is the typical input capacitance of the STV200N55F3 at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the STV200N55F3 is specified in the datasheet and varies with voltage and frequency.
9. Can the STV200N55F3 be used in parallel to increase current-handling capability?
Yes, the STV200N55F3 can be used in parallel to increase the overall current-handling capability in certain applications.
10. What are the recommended storage and operating conditions for the STV200N55F3 MOSFET?
The recommended storage and operating conditions for the STV200N55F3 MOSFET are outlined in the product datasheet, including temperature, humidity, and other environmental factors.
STV200N55F3 Змяненні, ключавыя словы
:
STV200N55F3 Кошт
STV200N55F3 Малюнак
STV200N55F3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "STV2"
