SPV1001N30 STMicroelectronics DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы     
Нумар вытворцы:
SPV1001N30
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
30V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
850mV @ 5A
Пакет / Чахол :
8-PowerVDFN
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-PQFN (5x6)
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-45°C ~ 150°C
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
1µA @ 30V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
12.5A
Тып мацавання :
Surface Mount
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
хуткасць :
-
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
-
Частка Статус :
Obsolete
Тып дыёда :
Standard
в наличии
41,565
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

SPV1001N30 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SPV1001N30 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc SPV1001N30. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на SPV1001N30. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

SPV1001N30 Асаблівасці

SPV1001N30 is produced by STMicroelectronics, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
  

SPV1001N30 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
SPV1001N30 - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя STMicroelectronics.
SPV1001N30 вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SPV1001N30 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SPV1001N30 (PDF), кошт SPV1001N30, Распіноўка SPV1001N30, кіраўніцтва SPV1001N30 і рашэнне на замену SPV1001N30.
  

SPV1001N30 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage of the SPV1001N30?

The maximum drain-source voltage of the SPV1001N30 is 30V.

2. What is the typical on-state resistance of the SPV1001N30?

The typical on-state resistance of the SPV1001N30 is 10mΩ.

3. What is the maximum continuous drain current of the SPV1001N30?

The maximum continuous drain current of the SPV1001N30 is 100A.

4. What is the gate threshold voltage of the SPV1001N30?

The gate threshold voltage of the SPV1001N30 is typically 2.5V.

5. What is the maximum junction temperature of the SPV1001N30?

The maximum junction temperature of the SPV1001N30 is 175°C.

6. What is the input capacitance of the SPV1001N30?

The input capacitance of the SPV1001N30 is typically 5200pF.

7. What is the output capacitance of the SPV1001N30?

The output capacitance of the SPV1001N30 is typically 1100pF.

8. What is the reverse transfer capacitance of the SPV1001N30?

The reverse transfer capacitance of the SPV1001N30 is typically 300pF.

9. What is the total gate charge of the SPV1001N30?

The total gate charge of the SPV1001N30 is typically 60nC.

10. What is the maximum power dissipation of the SPV1001N30?

The maximum power dissipation of the SPV1001N30 is 200W.
  

SPV1001N30 Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "SPV1"