RF1005TF6S Rohm Semiconductor DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
RF1005TF6S
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
RF1005TF6S Табліцы дадзеных(PDF)
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
600V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
1.7V @ 10A
Пакет / Чахол :
TO-220-2 Full Pack
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-220NFM
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
150°C (Max)
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 600V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
10A
Тып мацавання :
Through Hole
Ўпакоўка :
Tube
хуткасць :
Fast Recovery = 200mA (Io)
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
40ns
Частка Статус :
Not For New Designs
Тып дыёда :
Standard
в наличии
27,096
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
RF1005TF6S Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць RF1005TF6S больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc RF1005TF6S. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на RF1005TF6S. Націсніце, каб атрымаць прапанову
RF1005TF6S Асаблівасці
RF1005TF6S is produced by Rohm Semiconductor, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
RF1005TF6S Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
RF1005TF6S - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Rohm Semiconductor.
RF1005TF6S вытворчасці Rohm Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
RF1005TF6S кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных RF1005TF6S (PDF), кошт RF1005TF6S, Распіноўка RF1005TF6S, кіраўніцтва RF1005TF6S і рашэнне на замену RF1005TF6S.
RF1005TF6S вытворчасці Rohm Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
RF1005TF6S кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных RF1005TF6S (PDF), кошт RF1005TF6S, Распіноўка RF1005TF6S, кіраўніцтва RF1005TF6S і рашэнне на замену RF1005TF6S.
RF1005TF6S FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the RF1005TF6S semiconductor?
The RF1005TF6S semiconductor has a maximum operating frequency of 6 GHz.
2. What is the typical input power for the RF1005TF6S semiconductor?
The typical input power for the RF1005TF6S semiconductor is 23 dBm.
3. What is the typical gain of the RF1005TF6S semiconductor at 2 GHz?
The typical gain of the RF1005TF6S semiconductor at 2 GHz is 15 dB.
4. What is the recommended operating voltage for the RF1005TF6S semiconductor?
The recommended operating voltage for the RF1005TF6S semiconductor is 5V.
5. What is the noise figure of the RF1005TF6S semiconductor at 3 GHz?
The noise figure of the RF1005TF6S semiconductor at 3 GHz is 1.2 dB.
6. What is the maximum junction temperature for the RF1005TF6S semiconductor?
The maximum junction temperature for the RF1005TF6S semiconductor is 150°C.
7. What is the typical output third-order intercept point (OIP3) of the RF1005TF6S semiconductor?
The typical output third-order intercept point (OIP3) of the RF1005TF6S semiconductor is 32 dBm.
8. What is the recommended storage temperature range for the RF1005TF6S semiconductor?
The recommended storage temperature range for the RF1005TF6S semiconductor is -55°C to 150°C.
9. What is the package type of the RF1005TF6S semiconductor?
The RF1005TF6S semiconductor is available in a SOT-89 package.
10. What is the typical bias current for the RF1005TF6S semiconductor?
The typical bias current for the RF1005TF6S semiconductor is 80 mA.
The RF1005TF6S semiconductor has a maximum operating frequency of 6 GHz.
2. What is the typical input power for the RF1005TF6S semiconductor?
The typical input power for the RF1005TF6S semiconductor is 23 dBm.
3. What is the typical gain of the RF1005TF6S semiconductor at 2 GHz?
The typical gain of the RF1005TF6S semiconductor at 2 GHz is 15 dB.
4. What is the recommended operating voltage for the RF1005TF6S semiconductor?
The recommended operating voltage for the RF1005TF6S semiconductor is 5V.
5. What is the noise figure of the RF1005TF6S semiconductor at 3 GHz?
The noise figure of the RF1005TF6S semiconductor at 3 GHz is 1.2 dB.
6. What is the maximum junction temperature for the RF1005TF6S semiconductor?
The maximum junction temperature for the RF1005TF6S semiconductor is 150°C.
7. What is the typical output third-order intercept point (OIP3) of the RF1005TF6S semiconductor?
The typical output third-order intercept point (OIP3) of the RF1005TF6S semiconductor is 32 dBm.
8. What is the recommended storage temperature range for the RF1005TF6S semiconductor?
The recommended storage temperature range for the RF1005TF6S semiconductor is -55°C to 150°C.
9. What is the package type of the RF1005TF6S semiconductor?
The RF1005TF6S semiconductor is available in a SOT-89 package.
10. What is the typical bias current for the RF1005TF6S semiconductor?
The typical bias current for the RF1005TF6S semiconductor is 80 mA.
RF1005TF6S Змяненні, ключавыя словы
:
RF1005TF6S Кошт
RF1005TF6S Малюнак
RF1005TF6S Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
