602-20012 Parallax Inc. IC EEPROM 128KBIT 1MHZ 8SOIC
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
602-20012
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC EEPROM 128KBIT 1MHZ 8SOIC
Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
I²C
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 5.5 V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SOIC
Памер памяці :
128Kb (16K x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
1MHz
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
EEPROM
Ўпакоўка :
Tube
Фармат памяці :
EEPROM
Час доступу :
400ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
5ms
Частка Статус :
Active
в наличии
27,265
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
602-20012 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 602-20012 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 602-20012. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 602-20012. Націсніце, каб атрымаць прапанову
602-20012 Асаблівасці
602-20012 is produced by Parallax Inc., belongs to аб'ём памяці.
602-20012 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
602-20012 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Parallax Inc..
602-20012 вытворчасці Parallax Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
602-20012 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 602-20012 (PDF), кошт 602-20012, Распіноўка 602-20012, кіраўніцтва 602-20012 і рашэнне на замену 602-20012.
602-20012 вытворчасці Parallax Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
602-20012 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 602-20012 (PDF), кошт 602-20012, Распіноўка 602-20012, кіраўніцтва 602-20012 і рашэнне на замену 602-20012.
602-20012 FAQ
:
1. Q: What is the maximum operating temperature for the 602-20012 discrete semiconductor?
A: The maximum operating temperature for the 602-20012 discrete semiconductor is 150°C.
2. Q: What is the typical forward voltage drop for the 602-20012 diode?
A: The typical forward voltage drop for the 602-20012 diode is 0.7V.
3. Q: What is the maximum continuous collector current for the 602-20012 transistor?
A: The maximum continuous collector current for the 602-20012 transistor is 1A.
4. Q: What is the breakdown voltage for the 602-20012 zener diode?
A: The breakdown voltage for the 602-20012 zener diode is 12V.
5. Q: What is the power dissipation rating for the 602-20012 semiconductor?
A: The power dissipation rating for the 602-20012 semiconductor is 500mW.
6. Q: What is the typical on-state resistance for the 602-20012 MOSFET?
A: The typical on-state resistance for the 602-20012 MOSFET is 0.5 ohms.
7. Q: What is the maximum reverse voltage for the 602-20012 rectifier?
A: The maximum reverse voltage for the 602-20012 rectifier is 100V.
8. Q: What is the typical gate threshold voltage for the 602-20012 IGBT?
A: The typical gate threshold voltage for the 602-20012 IGBT is 2.5V.
9. Q: What is the maximum junction temperature for the 602-20012 power module?
A: The maximum junction temperature for the 602-20012 power module is 175°C.
10. Q: What is the typical capacitance for the 602-20012 varactor diode?
A: The typical capacitance for the 602-20012 varactor diode is 15pF.
A: The maximum operating temperature for the 602-20012 discrete semiconductor is 150°C.
2. Q: What is the typical forward voltage drop for the 602-20012 diode?
A: The typical forward voltage drop for the 602-20012 diode is 0.7V.
3. Q: What is the maximum continuous collector current for the 602-20012 transistor?
A: The maximum continuous collector current for the 602-20012 transistor is 1A.
4. Q: What is the breakdown voltage for the 602-20012 zener diode?
A: The breakdown voltage for the 602-20012 zener diode is 12V.
5. Q: What is the power dissipation rating for the 602-20012 semiconductor?
A: The power dissipation rating for the 602-20012 semiconductor is 500mW.
6. Q: What is the typical on-state resistance for the 602-20012 MOSFET?
A: The typical on-state resistance for the 602-20012 MOSFET is 0.5 ohms.
7. Q: What is the maximum reverse voltage for the 602-20012 rectifier?
A: The maximum reverse voltage for the 602-20012 rectifier is 100V.
8. Q: What is the typical gate threshold voltage for the 602-20012 IGBT?
A: The typical gate threshold voltage for the 602-20012 IGBT is 2.5V.
9. Q: What is the maximum junction temperature for the 602-20012 power module?
A: The maximum junction temperature for the 602-20012 power module is 175°C.
10. Q: What is the typical capacitance for the 602-20012 varactor diode?
A: The typical capacitance for the 602-20012 varactor diode is 15pF.
602-20012 Змяненні, ключавыя словы
:
602-20012 Кошт
602-20012 Малюнак
602-20012 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "602-"