SBC856BDW1T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SBC856BDW1T1G
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
SBC856BDW1T1G Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
220 @ 2mA, 5V
Магутнасць - Макс :
380mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
65V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
650mV @ 5mA, 100mA
Пакет / Чахол :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет прылады пастаўшчыка :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
Automotive, AEC-Q101
Ток - адсечка калектара (макс.) :
15nA (ICBO)
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
100mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
2 PNP (Dual)
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частата - Пераход :
100MHz
Частка Статус :
Active
в наличии
32,773
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SBC856BDW1T1G Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SBC856BDW1T1G больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SBC856BDW1T1G. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SBC856BDW1T1G. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SBC856BDW1T1G Асаблівасці
SBC856BDW1T1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы.
SBC856BDW1T1G Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SBC856BDW1T1G - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
SBC856BDW1T1G вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SBC856BDW1T1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SBC856BDW1T1G (PDF), кошт SBC856BDW1T1G, Распіноўка SBC856BDW1T1G, кіраўніцтва SBC856BDW1T1G і рашэнне на замену SBC856BDW1T1G.
SBC856BDW1T1G вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SBC856BDW1T1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SBC856BDW1T1G (PDF), кошт SBC856BDW1T1G, Распіноўка SBC856BDW1T1G, кіраўніцтва SBC856BDW1T1G і рашэнне на замену SBC856BDW1T1G.
SBC856BDW1T1G FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature of the SBC856BDW1T1G semiconductor?
The maximum operating temperature of the SBC856BDW1T1G semiconductor is 150°C.
2. What is the typical input capacitance of the SBC856BDW1T1G?
The typical input capacitance of the SBC856BDW1T1G is 4 pF.
3. What is the maximum collector current of the SBC856BDW1T1G?
The maximum collector current of the SBC856BDW1T1G is 100 mA.
4. What is the maximum power dissipation of the SBC856BDW1T1G?
The maximum power dissipation of the SBC856BDW1T1G is 250 mW.
5. What is the transition frequency of the SBC856BDW1T1G?
The transition frequency of the SBC856BDW1T1G is 150 MHz.
6. What is the maximum voltage across the collector and emitter of the SBC856BDW1T1G?
The maximum voltage across the collector and emitter of the SBC856BDW1T1G is 80 V.
7. What is the gain bandwidth product of the SBC856BDW1T1G?
The gain bandwidth product of the SBC856BDW1T1G is 200 MHz.
8. What is the maximum base-emitter voltage of the SBC856BDW1T1G?
The maximum base-emitter voltage of the SBC856BDW1T1G is 5 V.
9. What is the noise figure of the SBC856BDW1T1G?
The noise figure of the SBC856BDW1T1G is 3 dB.
10. What is the storage temperature range of the SBC856BDW1T1G?
The storage temperature range of the SBC856BDW1T1G is -55°C to 150°C.
The maximum operating temperature of the SBC856BDW1T1G semiconductor is 150°C.
2. What is the typical input capacitance of the SBC856BDW1T1G?
The typical input capacitance of the SBC856BDW1T1G is 4 pF.
3. What is the maximum collector current of the SBC856BDW1T1G?
The maximum collector current of the SBC856BDW1T1G is 100 mA.
4. What is the maximum power dissipation of the SBC856BDW1T1G?
The maximum power dissipation of the SBC856BDW1T1G is 250 mW.
5. What is the transition frequency of the SBC856BDW1T1G?
The transition frequency of the SBC856BDW1T1G is 150 MHz.
6. What is the maximum voltage across the collector and emitter of the SBC856BDW1T1G?
The maximum voltage across the collector and emitter of the SBC856BDW1T1G is 80 V.
7. What is the gain bandwidth product of the SBC856BDW1T1G?
The gain bandwidth product of the SBC856BDW1T1G is 200 MHz.
8. What is the maximum base-emitter voltage of the SBC856BDW1T1G?
The maximum base-emitter voltage of the SBC856BDW1T1G is 5 V.
9. What is the noise figure of the SBC856BDW1T1G?
The noise figure of the SBC856BDW1T1G is 3 dB.
10. What is the storage temperature range of the SBC856BDW1T1G?
The storage temperature range of the SBC856BDW1T1G is -55°C to 150°C.
SBC856BDW1T1G Змяненні, ключавыя словы
:
SBC856BDW1T1G Кошт
SBC856BDW1T1G Малюнак
SBC856BDW1T1G Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SBC8"
