MUN5111T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
MUN5111T1G
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
MUN5111T1G Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
35 @ 5mA, 10V
Магутнасць - Макс :
202mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
50V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
Пакет / Чахол :
SC-70, SOT-323
Пакет прылады пастаўшчыка :
SC-70-3 (SOT323)
Рэзістар - база (R1) :
10 kOhms
Рэзістар - база эмітэра (R2) :
10 kOhms
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
500nA
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
100mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
PNP - Pre-Biased
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частата - Пераход :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
44,313
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MUN5111T1G Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MUN5111T1G больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MUN5111T1G. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MUN5111T1G. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MUN5111T1G Асаблівасці
MUN5111T1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя.
MUN5111T1G Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MUN5111T1G - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
MUN5111T1G вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MUN5111T1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MUN5111T1G (PDF), кошт MUN5111T1G, Распіноўка MUN5111T1G, кіраўніцтва MUN5111T1G і рашэнне на замену MUN5111T1G.
MUN5111T1G вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MUN5111T1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MUN5111T1G (PDF), кошт MUN5111T1G, Распіноўка MUN5111T1G, кіраўніцтва MUN5111T1G і рашэнне на замену MUN5111T1G.
MUN5111T1G FAQ
:
1. What is the maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G?
The maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G is 100 mA.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G is 50 V.
3. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G is 5 V.
4. What is the DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G?
The DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G is 40 to 250.
5. What is the maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G?
The maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G is 225 mW.
6. What is the operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G?
The operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G is -55°C to +150°C.
7. What is the thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G?
The thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G is 357°C/W.
8. What is the package type for MUN5111T1G?
MUN5111T1G comes in a SOT-223 package.
9. Is MUN5111T1G RoHS compliant?
Yes, MUN5111T1G is RoHS compliant.
10. What are the typical applications for MUN5111T1G?
MUN5111T1G is commonly used in general purpose switching and amplification applications.
The maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G is 100 mA.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G is 50 V.
3. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G is 5 V.
4. What is the DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G?
The DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G is 40 to 250.
5. What is the maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G?
The maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G is 225 mW.
6. What is the operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G?
The operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G is -55°C to +150°C.
7. What is the thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G?
The thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G is 357°C/W.
8. What is the package type for MUN5111T1G?
MUN5111T1G comes in a SOT-223 package.
9. Is MUN5111T1G RoHS compliant?
Yes, MUN5111T1G is RoHS compliant.
10. What are the typical applications for MUN5111T1G?
MUN5111T1G is commonly used in general purpose switching and amplification applications.
MUN5111T1G Змяненні, ключавыя словы
:
MUN5111T1G Кошт
MUN5111T1G Малюнак
MUN5111T1G Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MUN5"
