IMD10AMT1G ON Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
IMD10AMT1G
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
IMD10AMT1G Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Магутнасць - Макс :
285mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
50V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Пакет / Чахол :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет прылады пастаўшчыка :
SC-74R
Рэзістар - база (R1) :
13 kOhms, 130 Ohms
Рэзістар - база эмітэра (R2) :
10 kOhms
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
500nA
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
500mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частата - Пераход :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
12,492
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
IMD10AMT1G Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IMD10AMT1G больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc IMD10AMT1G. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на IMD10AMT1G. Націсніце, каб атрымаць прапанову
IMD10AMT1G Асаблівасці
IMD10AMT1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне прадузятыя.
IMD10AMT1G Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
IMD10AMT1G - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне прадузятыя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
IMD10AMT1G вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IMD10AMT1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IMD10AMT1G (PDF), кошт IMD10AMT1G, Распіноўка IMD10AMT1G, кіраўніцтва IMD10AMT1G і рашэнне на замену IMD10AMT1G.
IMD10AMT1G вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IMD10AMT1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IMD10AMT1G (PDF), кошт IMD10AMT1G, Распіноўка IMD10AMT1G, кіраўніцтва IMD10AMT1G і рашэнне на замену IMD10AMT1G.
IMD10AMT1G FAQ
:
1. What is the maximum continuous drain current for the IMD10AMT1G?
The maximum continuous drain current for the IMD10AMT1G is 3.7A.
2. What is the typical gate-source threshold voltage for this semiconductor?
The typical gate-source threshold voltage for the IMD10AMT1G is 2V.
3. Can you provide the maximum power dissipation for this device?
The maximum power dissipation for the IMD10AMT1G is 2.5W.
4. What is the on-state resistance of the IMD10AMT1G at a specified gate-source voltage?
The on-state resistance of the IMD10AMT1G at a gate-source voltage of 10V is typically 0.045 ohms.
5. What is the typical input capacitance of the IMD10AMT1G?
The typical input capacitance of the IMD10AMT1G is 1100pF.
6. Can you explain the typical turn-on delay time for this semiconductor?
The typical turn-on delay time for the IMD10AMT1G is 8.5ns.
7. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the IMD10AMT1G is 175°C.
8. Can you provide the typical reverse recovery time for the diode in this semiconductor?
The typical reverse recovery time for the diode in the IMD10AMT1G is 35ns.
9. What is the typical thermal resistance from junction to ambient for this component?
The typical thermal resistance from junction to ambient for the IMD10AMT1G is 62°C/W.
10. Can you explain the maximum storage temperature for this semiconductor?
The maximum storage temperature for the IMD10AMT1G is -55°C to 175°C.
The maximum continuous drain current for the IMD10AMT1G is 3.7A.
2. What is the typical gate-source threshold voltage for this semiconductor?
The typical gate-source threshold voltage for the IMD10AMT1G is 2V.
3. Can you provide the maximum power dissipation for this device?
The maximum power dissipation for the IMD10AMT1G is 2.5W.
4. What is the on-state resistance of the IMD10AMT1G at a specified gate-source voltage?
The on-state resistance of the IMD10AMT1G at a gate-source voltage of 10V is typically 0.045 ohms.
5. What is the typical input capacitance of the IMD10AMT1G?
The typical input capacitance of the IMD10AMT1G is 1100pF.
6. Can you explain the typical turn-on delay time for this semiconductor?
The typical turn-on delay time for the IMD10AMT1G is 8.5ns.
7. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the IMD10AMT1G is 175°C.
8. Can you provide the typical reverse recovery time for the diode in this semiconductor?
The typical reverse recovery time for the diode in the IMD10AMT1G is 35ns.
9. What is the typical thermal resistance from junction to ambient for this component?
The typical thermal resistance from junction to ambient for the IMD10AMT1G is 62°C/W.
10. Can you explain the maximum storage temperature for this semiconductor?
The maximum storage temperature for the IMD10AMT1G is -55°C to 175°C.
IMD10AMT1G Змяненні, ключавыя словы
:
IMD10AMT1G Кошт
IMD10AMT1G Малюнак
IMD10AMT1G Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "IMD1"
