FDC021N30 ON Semiconductor PT8 N 30V/20V, MOSFET
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
FDC021N30
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
PT8 N 30V/20V, MOSFET
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
FDC021N30 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (макс.) :
±20V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
3V @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
10.8nC @ 10V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
30V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
4.5V, 10V
Пакет / Чахол :
SOT-23-6
Пакет прылады пастаўшчыка :
SuperSOT™-6
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
700mW (Ta)
серыял :
PowerTrench®
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
6.1A (Ta)
Тып FET :
N-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
710pF @ 15V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
51,417
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
FDC021N30 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць FDC021N30 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc FDC021N30. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на FDC021N30. Націсніце, каб атрымаць прапанову
FDC021N30 Асаблівасці
FDC021N30 is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
FDC021N30 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
FDC021N30 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
FDC021N30 вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
FDC021N30 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных FDC021N30 (PDF), кошт FDC021N30, Распіноўка FDC021N30, кіраўніцтва FDC021N30 і рашэнне на замену FDC021N30.
FDC021N30 вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
FDC021N30 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных FDC021N30 (PDF), кошт FDC021N30, Распіноўка FDC021N30, кіраўніцтва FDC021N30 і рашэнне на замену FDC021N30.
FDC021N30 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for FDC021N30?
The maximum drain-source voltage rating for FDC021N30 is 300V.
2. What is the continuous drain current rating for FDC021N30?
The continuous drain current rating for FDC021N30 is 21A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for FDC021N30?
The on-state resistance (RDS(on)) for FDC021N30 is typically 23mΩ.
4. What is the gate threshold voltage for FDC021N30?
The gate threshold voltage for FDC021N30 is typically 2V.
5. What is the maximum junction temperature for FDC021N30?
The maximum junction temperature for FDC021N30 is 175°C.
6. What is the input capacitance for FDC021N30?
The input capacitance for FDC021N30 is typically 2700pF.
7. What is the total gate charge for FDC021N30?
The total gate charge for FDC021N30 is typically 22nC.
8. What is the reverse transfer capacitance for FDC021N30?
The reverse transfer capacitance for FDC021N30 is typically 150pF.
9. What is the thermal resistance junction-to-ambient for FDC021N30?
The thermal resistance junction-to-ambient for FDC021N30 is typically 40°C/W.
10. What is the package type for FDC021N30?
FDC021N30 is available in a DPAK (TO-252) package.
The maximum drain-source voltage rating for FDC021N30 is 300V.
2. What is the continuous drain current rating for FDC021N30?
The continuous drain current rating for FDC021N30 is 21A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for FDC021N30?
The on-state resistance (RDS(on)) for FDC021N30 is typically 23mΩ.
4. What is the gate threshold voltage for FDC021N30?
The gate threshold voltage for FDC021N30 is typically 2V.
5. What is the maximum junction temperature for FDC021N30?
The maximum junction temperature for FDC021N30 is 175°C.
6. What is the input capacitance for FDC021N30?
The input capacitance for FDC021N30 is typically 2700pF.
7. What is the total gate charge for FDC021N30?
The total gate charge for FDC021N30 is typically 22nC.
8. What is the reverse transfer capacitance for FDC021N30?
The reverse transfer capacitance for FDC021N30 is typically 150pF.
9. What is the thermal resistance junction-to-ambient for FDC021N30?
The thermal resistance junction-to-ambient for FDC021N30 is typically 40°C/W.
10. What is the package type for FDC021N30?
FDC021N30 is available in a DPAK (TO-252) package.
FDC021N30 Змяненні, ключавыя словы
:
FDC021N30 Кошт
FDC021N30 Малюнак
FDC021N30 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
