SPA08N80C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SPA08N80C3XKSA1
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
SPA08N80C3XKSA1 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (макс.) :
±20V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
3.9V @ 470µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
60nC @ 10V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
800V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
10V
Пакет / Чахол :
TO-220-3 Full Pack
Пакет прылады пастаўшчыка :
PG-TO220-FP
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
40W (Tc)
серыял :
CoolMOS™
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
8A (Tc)
Тып FET :
N-Channel
Тып мацавання :
Through Hole
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
1100pF @ 100V
Ўпакоўка :
Tube
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
26,238
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SPA08N80C3XKSA1 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SPA08N80C3XKSA1 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SPA08N80C3XKSA1. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SPA08N80C3XKSA1. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SPA08N80C3XKSA1 Асаблівасці
SPA08N80C3XKSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
SPA08N80C3XKSA1 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SPA08N80C3XKSA1 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Infineon Technologies.
SPA08N80C3XKSA1 вытворчасці Infineon Technologies можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SPA08N80C3XKSA1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SPA08N80C3XKSA1 (PDF), кошт SPA08N80C3XKSA1, Распіноўка SPA08N80C3XKSA1, кіраўніцтва SPA08N80C3XKSA1 і рашэнне на замену SPA08N80C3XKSA1.
SPA08N80C3XKSA1 вытворчасці Infineon Technologies можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SPA08N80C3XKSA1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SPA08N80C3XKSA1 (PDF), кошт SPA08N80C3XKSA1, Распіноўка SPA08N80C3XKSA1, кіраўніцтва SPA08N80C3XKSA1 і рашэнне на замену SPA08N80C3XKSA1.
SPA08N80C3XKSA1 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET?
The maximum drain-source voltage of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is 800 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET?
The continuous drain current rating of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is 8 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is typically 0.65 ohms.
4. Can the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET be used in high-frequency applications?
Yes, the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET can be used in high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
5. What is the maximum junction temperature of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET?
The maximum junction temperature of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is 150 degrees Celsius.
6. Is the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET suitable for use in power supplies and inverters?
Yes, the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is suitable for use in power supplies and inverters due to its high voltage and current ratings.
7. Does the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET features built-in ESD protection to enhance reliability.
8. What is the gate-source voltage (VGS) required to fully enhance the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) required to fully enhance the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is typically 10 volts.
9. Can the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET be operated in parallel for higher current capability?
Yes, the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET can be operated in parallel to achieve higher current capability in applications.
10. What package type is the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET available in?
The SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is available in a TO-220 package for easy mounting and thermal management.
The maximum drain-source voltage of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is 800 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET?
The continuous drain current rating of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is 8 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is typically 0.65 ohms.
4. Can the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET be used in high-frequency applications?
Yes, the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET can be used in high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
5. What is the maximum junction temperature of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET?
The maximum junction temperature of the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is 150 degrees Celsius.
6. Is the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET suitable for use in power supplies and inverters?
Yes, the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is suitable for use in power supplies and inverters due to its high voltage and current ratings.
7. Does the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET features built-in ESD protection to enhance reliability.
8. What is the gate-source voltage (VGS) required to fully enhance the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) required to fully enhance the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is typically 10 volts.
9. Can the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET be operated in parallel for higher current capability?
Yes, the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET can be operated in parallel to achieve higher current capability in applications.
10. What package type is the SPA08N80C3XKSA1 MOSFET available in?
The SPA08N80C3XKSA1 MOSFET is available in a TO-220 package for easy mounting and thermal management.
SPA08N80C3XKSA1 Змяненні, ключавыя словы
:
SPA08N80C3XKSA1 Кошт
SPA08N80C3XKSA1 Малюнак
SPA08N80C3XKSA1 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SPA0"
