BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
BCR523E6327HTSA1
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
BCR523E6327HTSA1 Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
70 @ 50mA, 5V
Магутнасць - Макс :
330mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
50V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Пакет / Чахол :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прылады пастаўшчыка :
PG-SOT23-3
Рэзістар - база (R1) :
1 kOhms
Рэзістар - база эмітэра (R2) :
10 kOhms
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
100nA (ICBO)
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
500mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
NPN - Pre-Biased
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частата - Пераход :
100MHz
Частка Статус :
Last Time Buy
в наличии
19,668
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
BCR523E6327HTSA1 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць BCR523E6327HTSA1 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc BCR523E6327HTSA1. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на BCR523E6327HTSA1. Націсніце, каб атрымаць прапанову
BCR523E6327HTSA1 Асаблівасці
BCR523E6327HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя.
BCR523E6327HTSA1 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
BCR523E6327HTSA1 - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Infineon Technologies.
BCR523E6327HTSA1 вытворчасці Infineon Technologies можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BCR523E6327HTSA1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BCR523E6327HTSA1 (PDF), кошт BCR523E6327HTSA1, Распіноўка BCR523E6327HTSA1, кіраўніцтва BCR523E6327HTSA1 і рашэнне на замену BCR523E6327HTSA1.
BCR523E6327HTSA1 вытворчасці Infineon Technologies можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BCR523E6327HTSA1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BCR523E6327HTSA1 (PDF), кошт BCR523E6327HTSA1, Распіноўка BCR523E6327HTSA1, кіраўніцтва BCR523E6327HTSA1 і рашэнне на замену BCR523E6327HTSA1.
BCR523E6327HTSA1 FAQ
:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for BCR523E6327HTSA1?
The maximum collector current (IC) rating for BCR523E6327HTSA1 is 100 mA.
2. What is the maximum emitter-base voltage (Veb) for BCR523E6327HTSA1?
The maximum emitter-base voltage (Veb) for BCR523E6327HTSA1 is 5 V.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR523E6327HTSA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR523E6327HTSA1 is 200 mW.
4. What is the typical DC current gain (hFE) for BCR523E6327HTSA1?
The typical DC current gain (hFE) for BCR523E6327HTSA1 is 100-600.
5. What is the maximum operating temperature (Tj) for BCR523E6327HTSA1?
The maximum operating temperature (Tj) for BCR523E6327HTSA1 is 150°C.
6. What is the package type for BCR523E6327HTSA1?
BCR523E6327HTSA1 comes in a SOT-23 package.
7. What is the storage temperature range for BCR523E6327HTSA1?
The storage temperature range for BCR523E6327HTSA1 is -55°C to 150°C.
8. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR523E6327HTSA1?
The typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR523E6327HTSA1 is 0.9 V.
9. What is the typical base-emitter on-state voltage (VBEon) for BCR523E6327HTSA1?
The typical base-emitter on-state voltage (VBEon) for BCR523E6327HTSA1 is 0.75 V.
10. What is the typical base-emitter cut-off current (ICEO) for BCR523E6327HTSA1?
The typical base-emitter cut-off current (ICEO) for BCR523E6327HTSA1 is 100 nA.
The maximum collector current (IC) rating for BCR523E6327HTSA1 is 100 mA.
2. What is the maximum emitter-base voltage (Veb) for BCR523E6327HTSA1?
The maximum emitter-base voltage (Veb) for BCR523E6327HTSA1 is 5 V.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR523E6327HTSA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR523E6327HTSA1 is 200 mW.
4. What is the typical DC current gain (hFE) for BCR523E6327HTSA1?
The typical DC current gain (hFE) for BCR523E6327HTSA1 is 100-600.
5. What is the maximum operating temperature (Tj) for BCR523E6327HTSA1?
The maximum operating temperature (Tj) for BCR523E6327HTSA1 is 150°C.
6. What is the package type for BCR523E6327HTSA1?
BCR523E6327HTSA1 comes in a SOT-23 package.
7. What is the storage temperature range for BCR523E6327HTSA1?
The storage temperature range for BCR523E6327HTSA1 is -55°C to 150°C.
8. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR523E6327HTSA1?
The typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR523E6327HTSA1 is 0.9 V.
9. What is the typical base-emitter on-state voltage (VBEon) for BCR523E6327HTSA1?
The typical base-emitter on-state voltage (VBEon) for BCR523E6327HTSA1 is 0.75 V.
10. What is the typical base-emitter cut-off current (ICEO) for BCR523E6327HTSA1?
The typical base-emitter cut-off current (ICEO) for BCR523E6327HTSA1 is 100 nA.
BCR523E6327HTSA1 Змяненні, ключавыя словы
:
BCR523E6327HTSA1 Кошт
BCR523E6327HTSA1 Малюнак
BCR523E6327HTSA1 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "BCR5"
