BLF8G09LS-270GWJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
BLF8G09LS-270GWJ
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
BLF8G09LS-270GWJ Табліцы дадзеных(PDF)
Бягучы рэйтынг :
-
Выйгрыш :
20dB
Магутнасць - выхад :
67W
Напружанне - Намінальнае :
65V
Напружанне - Тэст :
28V
Пакет / Чахол :
SOT-1244C
Пакет прылады пастаўшчыка :
CDFM6
серыял :
-
Ток - Тэст :
2A
Тып транзістара :
LDMOS
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фігура шуму :
-
Частата :
718.5MHz ~ 725.5MHz
Частка Статус :
Active
в наличии
41,399
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
BLF8G09LS-270GWJ Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць BLF8G09LS-270GWJ больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc BLF8G09LS-270GWJ. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на BLF8G09LS-270GWJ. Націсніце, каб атрымаць прапанову
BLF8G09LS-270GWJ Асаблівасці
BLF8G09LS-270GWJ is produced by Ampleon USA Inc., belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ.
BLF8G09LS-270GWJ Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
BLF8G09LS-270GWJ - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Ampleon USA Inc..
BLF8G09LS-270GWJ вытворчасці Ampleon USA Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BLF8G09LS-270GWJ кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BLF8G09LS-270GWJ (PDF), кошт BLF8G09LS-270GWJ, Распіноўка BLF8G09LS-270GWJ, кіраўніцтва BLF8G09LS-270GWJ і рашэнне на замену BLF8G09LS-270GWJ.
BLF8G09LS-270GWJ вытворчасці Ampleon USA Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BLF8G09LS-270GWJ кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BLF8G09LS-270GWJ (PDF), кошт BLF8G09LS-270GWJ, Распіноўка BLF8G09LS-270GWJ, кіраўніцтва BLF8G09LS-270GWJ і рашэнне на замену BLF8G09LS-270GWJ.
BLF8G09LS-270GWJ FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum drain-source voltage of the BLF8G09LS-270GWJ is 270V.
2. What is the typical gain of this RF power LDMOS transistor at 2 GHz?
The typical gain of the BLF8G09LS-270GWJ at 2 GHz is 15 dB.
3. What is the maximum output power capability of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum output power capability of the BLF8G09LS-270GWJ is 9W.
4. What is the recommended operating frequency range for this transistor?
The recommended operating frequency range for the BLF8G09LS-270GWJ is 0.7 - 2.7 GHz.
5. What is the typical input and output return loss at 2 GHz?
The typical input return loss at 2 GHz is -14 dB, and the typical output return loss at 2 GHz is -12 dB.
6. What is the maximum junction temperature of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum junction temperature of the BLF8G09LS-270GWJ is 200°C.
7. What is the typical thermal resistance from junction to case?
The typical thermal resistance from junction to case is 0.83°C/W.
8. What is the recommended bias conditions for optimal performance?
The recommended bias conditions for optimal performance are VDS = 32V, IDQ = 150mA, and VGS = -5V.
9. What is the typical efficiency of the BLF8G09LS-270GWJ at P1dB?
The typical efficiency of the BLF8G09LS-270GWJ at P1dB is 55%.
10. What is the package type of the BLF8G09LS-270GWJ?
The BLF8G09LS-270GWJ comes in a SOT502A (LFPAK56) package.
The maximum drain-source voltage of the BLF8G09LS-270GWJ is 270V.
2. What is the typical gain of this RF power LDMOS transistor at 2 GHz?
The typical gain of the BLF8G09LS-270GWJ at 2 GHz is 15 dB.
3. What is the maximum output power capability of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum output power capability of the BLF8G09LS-270GWJ is 9W.
4. What is the recommended operating frequency range for this transistor?
The recommended operating frequency range for the BLF8G09LS-270GWJ is 0.7 - 2.7 GHz.
5. What is the typical input and output return loss at 2 GHz?
The typical input return loss at 2 GHz is -14 dB, and the typical output return loss at 2 GHz is -12 dB.
6. What is the maximum junction temperature of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum junction temperature of the BLF8G09LS-270GWJ is 200°C.
7. What is the typical thermal resistance from junction to case?
The typical thermal resistance from junction to case is 0.83°C/W.
8. What is the recommended bias conditions for optimal performance?
The recommended bias conditions for optimal performance are VDS = 32V, IDQ = 150mA, and VGS = -5V.
9. What is the typical efficiency of the BLF8G09LS-270GWJ at P1dB?
The typical efficiency of the BLF8G09LS-270GWJ at P1dB is 55%.
10. What is the package type of the BLF8G09LS-270GWJ?
The BLF8G09LS-270GWJ comes in a SOT502A (LFPAK56) package.
BLF8G09LS-270GWJ Змяненні, ключавыя словы
:
BLF8G09LS-270GWJ Кошт
BLF8G09LS-270GWJ Малюнак
BLF8G09LS-270GWJ Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "BLF8"
