SIC634CD-T1-GE3 Vishay Siliconix 40A VRPOWER (DRMOS) INTEGRATED P
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
SIC634CD-T1-GE3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
40A VRPOWER (DRMOS) INTEGRATED P
Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:
Rds уключаны (тып) :
-
Інтэрфейс :
PWM
Абарона ад памылак :
UVLO
Асаблівасці :
Bootstrap Circuit
Канфігурацыя вываду :
Half Bridge
Напружанне - нагрузка :
4.5 V ~ 24 V
Напружанне - сілкаванне :
4.5 V ~ 5.5 V
Пакет / Чахол :
PowerPAK® MLP55-31L
Пакет прылады пастаўшчыка :
PowerPAK® MLP55-31L
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 125°C (TA)
Прыкладанні :
Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
серыял :
VRPower®
Ток - выхад / канал :
50A
Ток - Пікавы выхад :
55A
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып нагрузкі :
Inductive
Тэхналогія :
Power MOSFET
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частка Статус :
Active
в наличии
17,837
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SIC634CD-T1-GE3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SIC634CD-T1-GE3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SIC634CD-T1-GE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SIC634CD-T1-GE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SIC634CD-T1-GE3 Асаблівасці
SIC634CD-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to PMIC - Поўныя, Half-Bridge драйверы.
SIC634CD-T1-GE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SIC634CD-T1-GE3 - гэта PMIC - Поўныя, Half-Bridge драйверы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Siliconix.
SIC634CD-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SIC634CD-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SIC634CD-T1-GE3 (PDF), кошт SIC634CD-T1-GE3, Распіноўка SIC634CD-T1-GE3, кіраўніцтва SIC634CD-T1-GE3 і рашэнне на замену SIC634CD-T1-GE3.
SIC634CD-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SIC634CD-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SIC634CD-T1-GE3 (PDF), кошт SIC634CD-T1-GE3, Распіноўка SIC634CD-T1-GE3, кіраўніцтва SIC634CD-T1-GE3 і рашэнне на замену SIC634CD-T1-GE3.
SIC634CD-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SIC634CD-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SIC634CD-T1-GE3 is 1200V.
2. What is the continuous drain current rating of SIC634CD-T1-GE3?
The continuous drain current rating of SIC634CD-T1-GE3 is 15A.
3. What is the on-state resistance of SIC634CD-T1-GE3 at a specified temperature and current?
The on-state resistance of SIC634CD-T1-GE3 is typically 90mΩ at 25°C and 60A.
4. Can SIC634CD-T1-GE3 handle high-frequency switching applications?
Yes, SIC634CD-T1-GE3 is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
5. What is the operating junction temperature range for SIC634CD-T1-GE3?
The operating junction temperature range for SIC634CD-T1-GE3 is -55°C to 175°C.
6. Does SIC634CD-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, SIC634CD-T1-GE3 features built-in ESD protection for enhanced reliability.
7. What is the gate threshold voltage of SIC634CD-T1-GE3?
The gate threshold voltage of SIC634CD-T1-GE3 is typically 4V.
8. Is SIC634CD-T1-GE3 suitable for automotive power applications?
Yes, SIC634CD-T1-GE3 is suitable for automotive power applications due to its robust design.
9. Can SIC634CD-T1-GE3 be used in harsh industrial environments?
Yes, SIC634CD-T1-GE3 is designed to withstand harsh industrial environments.
10. What are the key advantages of using SIC634CD-T1-GE3 in power electronics designs?
The key advantages of using SIC634CD-T1-GE3 include low on-state resistance, high-speed switching capability, and excellent thermal performance.
The maximum drain-source voltage for SIC634CD-T1-GE3 is 1200V.
2. What is the continuous drain current rating of SIC634CD-T1-GE3?
The continuous drain current rating of SIC634CD-T1-GE3 is 15A.
3. What is the on-state resistance of SIC634CD-T1-GE3 at a specified temperature and current?
The on-state resistance of SIC634CD-T1-GE3 is typically 90mΩ at 25°C and 60A.
4. Can SIC634CD-T1-GE3 handle high-frequency switching applications?
Yes, SIC634CD-T1-GE3 is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
5. What is the operating junction temperature range for SIC634CD-T1-GE3?
The operating junction temperature range for SIC634CD-T1-GE3 is -55°C to 175°C.
6. Does SIC634CD-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, SIC634CD-T1-GE3 features built-in ESD protection for enhanced reliability.
7. What is the gate threshold voltage of SIC634CD-T1-GE3?
The gate threshold voltage of SIC634CD-T1-GE3 is typically 4V.
8. Is SIC634CD-T1-GE3 suitable for automotive power applications?
Yes, SIC634CD-T1-GE3 is suitable for automotive power applications due to its robust design.
9. Can SIC634CD-T1-GE3 be used in harsh industrial environments?
Yes, SIC634CD-T1-GE3 is designed to withstand harsh industrial environments.
10. What are the key advantages of using SIC634CD-T1-GE3 in power electronics designs?
The key advantages of using SIC634CD-T1-GE3 include low on-state resistance, high-speed switching capability, and excellent thermal performance.
SIC634CD-T1-GE3 Змяненні, ключавыя словы
:
SIC634CD-T1-GE3 Кошт
SIC634CD-T1-GE3 Малюнак
SIC634CD-T1-GE3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SIC6"