SI4830CDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SI4830CDY-T1-E3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
3V @ 1mA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
25nC @ 10V
Магутнасць - Макс :
2.9W
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
30V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SO
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
LITTLE FOOT®
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
8A
Тып FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Тып мацавання :
Surface Mount
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
950pF @ 15V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
Logic Level Gate
Частка Статус :
Active
в наличии
43,266
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SI4830CDY-T1-E3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SI4830CDY-T1-E3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SI4830CDY-T1-E3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SI4830CDY-T1-E3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SI4830CDY-T1-E3 Асаблівасці
SI4830CDY-T1-E3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы.
SI4830CDY-T1-E3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SI4830CDY-T1-E3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Siliconix.
SI4830CDY-T1-E3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4830CDY-T1-E3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4830CDY-T1-E3 (PDF), кошт SI4830CDY-T1-E3, Распіноўка SI4830CDY-T1-E3, кіраўніцтва SI4830CDY-T1-E3 і рашэнне на замену SI4830CDY-T1-E3.
SI4830CDY-T1-E3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4830CDY-T1-E3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4830CDY-T1-E3 (PDF), кошт SI4830CDY-T1-E3, Распіноўка SI4830CDY-T1-E3, кіраўніцтва SI4830CDY-T1-E3 і рашэнне на замену SI4830CDY-T1-E3.
SI4830CDY-T1-E3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum drain-source voltage for SI4830CDY-T1-E3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vgs of 10V?
The typical on-resistance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vgs of 10V is 8.5 mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum continuous drain current for SI4830CDY-T1-E3 is 60A.
4. What is the typical gate threshold voltage for SI4830CDY-T1-E3?
The typical gate threshold voltage for SI4830CDY-T1-E3 is 2.35V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum junction temperature for SI4830CDY-T1-E3 is 150°C.
6. What is the typical input capacitance for SI4830CDY-T1-E3?
The typical input capacitance for SI4830CDY-T1-E3 is 3700pF.
7. What is the typical total gate charge for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V?
The typical total gate charge for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V is 32nC.
8. What is the typical reverse transfer capacitance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V?
The typical reverse transfer capacitance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V is 200pF.
9. What is the maximum power dissipation for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum power dissipation for SI4830CDY-T1-E3 is 2.5W.
10. What is the typical thermal resistance from junction to ambient for SI4830CDY-T1-E3?
The typical thermal resistance from junction to ambient for SI4830CDY-T1-E3 is 40°C/W.
The maximum drain-source voltage for SI4830CDY-T1-E3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vgs of 10V?
The typical on-resistance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vgs of 10V is 8.5 mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum continuous drain current for SI4830CDY-T1-E3 is 60A.
4. What is the typical gate threshold voltage for SI4830CDY-T1-E3?
The typical gate threshold voltage for SI4830CDY-T1-E3 is 2.35V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum junction temperature for SI4830CDY-T1-E3 is 150°C.
6. What is the typical input capacitance for SI4830CDY-T1-E3?
The typical input capacitance for SI4830CDY-T1-E3 is 3700pF.
7. What is the typical total gate charge for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V?
The typical total gate charge for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V is 32nC.
8. What is the typical reverse transfer capacitance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V?
The typical reverse transfer capacitance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V is 200pF.
9. What is the maximum power dissipation for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum power dissipation for SI4830CDY-T1-E3 is 2.5W.
10. What is the typical thermal resistance from junction to ambient for SI4830CDY-T1-E3?
The typical thermal resistance from junction to ambient for SI4830CDY-T1-E3 is 40°C/W.
SI4830CDY-T1-E3 Змяненні, ключавыя словы
:
SI4830CDY-T1-E3 Кошт
SI4830CDY-T1-E3 Малюнак
SI4830CDY-T1-E3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SI48"