WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Звяжыцеся з намі  |  Становішчы і ўмовы
Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC

Сяброўства

Сардэчна запрашаем у Chipic

Мае асабістыя дадзеныя. Статус замовы & amp; Гісторыя Запыт Кіраванне адрасамі
РэгістрацыяАбоРэгістрацыя
  1. Галоўная
  2. катэгорыі
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
  4. Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы
  5. SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы     
Нумар вытворцы:
SI4210DY-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Катэгорыя прадукцыі:
Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы
Апісанне:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
SI4210DY-T1-GE3 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
2.5V @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
12nC @ 10V
Магутнасць - Макс :
2.7W
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
30V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SO
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
TrenchFET®
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
6.5A
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Тып мацавання :
Surface Mount
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
445pF @ 15V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
Logic Level Gate
Частка Статус :
Active
в наличии
23,729
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

SI4210DY-T1-GE3 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SI4210DY-T1-GE3 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc SI4210DY-T1-GE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на SI4210DY-T1-GE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

SI4210DY-T1-GE3 Асаблівасці

SI4210DY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы.
  

SI4210DY-T1-GE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
SI4210DY-T1-GE3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Vishay Siliconix.
SI4210DY-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4210DY-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4210DY-T1-GE3 (PDF), кошт SI4210DY-T1-GE3, Распіноўка SI4210DY-T1-GE3, кіраўніцтва SI4210DY-T1-GE3 і рашэнне на замену SI4210DY-T1-GE3.
  

SI4210DY-T1-GE3 FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The maximum operating temperature for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 150°C.

2. What is the typical input voltage range for this semiconductor?

The typical input voltage range for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 4.5V to 60V.

3. Can you provide the typical on-state resistance of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The typical on-state resistance of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 8 mΩ.

4. What is the maximum drain-source voltage rating for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The maximum drain-source voltage rating for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 100V.

5. Does the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor have built-in overcurrent protection?

Yes, the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor features built-in overcurrent protection.

6. What is the typical turn-on time for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The typical turn-on time for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 12 ns.

7. Can you provide the maximum output current capability of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The maximum output current capability of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 20A.

8. What is the typical quiescent current consumption of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The typical quiescent current consumption of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 250 µA.

9. Does the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor have thermal shutdown protection?

Yes, the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is equipped with thermal shutdown protection.

10. What is the package type of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The SI4210DY-T1-GE3 semiconductor comes in a DFN-8 package.
  

SI4210DY-T1-GE3 Змяненні, ключавыя словы

:
SI4210DY-T1-GE3 Кошт
SI4210DY-T1-GE3 Тэхнічная спецыфікацыя
SI4210DY-T1-GE3 Малюнак
SI4210DY-T1-GE3 PDF
SI4210DY-T1-GE3 Тэхнічныя характарыстыкі
SI4210DY-T1-GE3 Напружанне на выснове
SI4210DY-T1-GE3 Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "SI42"