SI4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SI4058DY-T1-GE3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
SI4058DY-T1-GE3 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (макс.) :
±20V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
2.8V @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
18nC @ 10V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
100V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
4.5V, 10V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SOIC
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
5.6W (Tc)
серыял :
-
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
10.3A (Tc)
Тып FET :
N-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
690pF @ 50V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
25,969
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SI4058DY-T1-GE3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SI4058DY-T1-GE3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SI4058DY-T1-GE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SI4058DY-T1-GE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SI4058DY-T1-GE3 Асаблівасці
SI4058DY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
SI4058DY-T1-GE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SI4058DY-T1-GE3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Siliconix.
SI4058DY-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4058DY-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4058DY-T1-GE3 (PDF), кошт SI4058DY-T1-GE3, Распіноўка SI4058DY-T1-GE3, кіраўніцтва SI4058DY-T1-GE3 і рашэнне на замену SI4058DY-T1-GE3.
SI4058DY-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI4058DY-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI4058DY-T1-GE3 (PDF), кошт SI4058DY-T1-GE3, Распіноўка SI4058DY-T1-GE3, кіраўніцтва SI4058DY-T1-GE3 і рашэнне на замену SI4058DY-T1-GE3.
SI4058DY-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI4058DY-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SI4058DY-T1-GE3 is 30V.
2. What is the continuous drain current rating for SI4058DY-T1-GE3?
The continuous drain current rating for SI4058DY-T1-GE3 is 9.5A.
3. What is the on-resistance of SI4058DY-T1-GE3 at Vgs = 10V?
The on-resistance of SI4058DY-T1-GE3 at Vgs = 10V is typically 7.5mΩ.
4. What is the threshold voltage for SI4058DY-T1-GE3?
The threshold voltage for SI4058DY-T1-GE3 is typically 1.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4058DY-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI4058DY-T1-GE3 is 150°C.
6. What is the gate-source voltage (Vgs) for SI4058DY-T1-GE3?
The gate-source voltage (Vgs) for SI4058DY-T1-GE3 is ±20V.
7. What is the input capacitance of SI4058DY-T1-GE3?
The input capacitance of SI4058DY-T1-GE3 is typically 2300pF.
8. What is the total gate charge (Qg) for SI4058DY-T1-GE3?
The total gate charge (Qg) for SI4058DY-T1-GE3 is typically 22nC.
9. What is the output capacitance (Coss) of SI4058DY-T1-GE3?
The output capacitance (Coss) of SI4058DY-T1-GE3 is typically 420pF.
10. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of SI4058DY-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance (Crss) of SI4058DY-T1-GE3 is typically 60pF.
The maximum drain-source voltage for SI4058DY-T1-GE3 is 30V.
2. What is the continuous drain current rating for SI4058DY-T1-GE3?
The continuous drain current rating for SI4058DY-T1-GE3 is 9.5A.
3. What is the on-resistance of SI4058DY-T1-GE3 at Vgs = 10V?
The on-resistance of SI4058DY-T1-GE3 at Vgs = 10V is typically 7.5mΩ.
4. What is the threshold voltage for SI4058DY-T1-GE3?
The threshold voltage for SI4058DY-T1-GE3 is typically 1.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4058DY-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI4058DY-T1-GE3 is 150°C.
6. What is the gate-source voltage (Vgs) for SI4058DY-T1-GE3?
The gate-source voltage (Vgs) for SI4058DY-T1-GE3 is ±20V.
7. What is the input capacitance of SI4058DY-T1-GE3?
The input capacitance of SI4058DY-T1-GE3 is typically 2300pF.
8. What is the total gate charge (Qg) for SI4058DY-T1-GE3?
The total gate charge (Qg) for SI4058DY-T1-GE3 is typically 22nC.
9. What is the output capacitance (Coss) of SI4058DY-T1-GE3?
The output capacitance (Coss) of SI4058DY-T1-GE3 is typically 420pF.
10. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of SI4058DY-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance (Crss) of SI4058DY-T1-GE3 is typically 60pF.
SI4058DY-T1-GE3 Змяненні, ключавыя словы
:
SI4058DY-T1-GE3 Кошт
SI4058DY-T1-GE3 Малюнак
SI4058DY-T1-GE3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SI40"
