SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V SC-89
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SI1011X-T1-GE3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET P-CH 12V SC-89
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
SI1011X-T1-GE3 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
640 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (макс.) :
±5V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
800mV @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
12V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
1.2V, 4.5V
Пакет / Чахол :
SC-89, SOT-490
Пакет прылады пастаўшчыка :
SC-89-3
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
190mW (Ta)
серыял :
TrenchFET®
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
-
Тып FET :
P-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
62pF @ 6V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Last Time Buy
в наличии
29,082
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SI1011X-T1-GE3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SI1011X-T1-GE3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SI1011X-T1-GE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SI1011X-T1-GE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SI1011X-T1-GE3 Асаблівасці
SI1011X-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
SI1011X-T1-GE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SI1011X-T1-GE3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Siliconix.
SI1011X-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI1011X-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI1011X-T1-GE3 (PDF), кошт SI1011X-T1-GE3, Распіноўка SI1011X-T1-GE3, кіраўніцтва SI1011X-T1-GE3 і рашэнне на замену SI1011X-T1-GE3.
SI1011X-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SI1011X-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SI1011X-T1-GE3 (PDF), кошт SI1011X-T1-GE3, Распіноўка SI1011X-T1-GE3, кіраўніцтва SI1011X-T1-GE3 і рашэнне на замену SI1011X-T1-GE3.
SI1011X-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI1011X-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SI1011X-T1-GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3?
The typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3 is 18mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3 is 240A.
4. What is the gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3?
The gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The input capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 6800pF.
7. What is the output capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The output capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 1100pF.
8. What is the total gate charge of SI1011X-T1-GE3?
The total gate charge of SI1011X-T1-GE3 is typically 30nC.
9. What is the reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 300pF.
10. What is the maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3 is 2.5W.
The maximum drain-source voltage for SI1011X-T1-GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3?
The typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3 is 18mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3 is 240A.
4. What is the gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3?
The gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The input capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 6800pF.
7. What is the output capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The output capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 1100pF.
8. What is the total gate charge of SI1011X-T1-GE3?
The total gate charge of SI1011X-T1-GE3 is typically 30nC.
9. What is the reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 300pF.
10. What is the maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3 is 2.5W.
SI1011X-T1-GE3 Змяненні, ключавыя словы
:
SI1011X-T1-GE3 Кошт
SI1011X-T1-GE3 Малюнак
SI1011X-T1-GE3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SI10"
