TC58BYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
TC58BYG1S3HBAI6
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
TC58BYG1S3HBAI6 Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 1.95 V
Пакет / Чахол :
67-VFBGA
Пакет прылады пастаўшчыка :
67-VFBGA (6.5x8)
Памер памяці :
2Gb (256M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
Benand™
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND (SLC)
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
25ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
25ns
Частка Статус :
Active
в наличии
19,326
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
TC58BYG1S3HBAI6 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць TC58BYG1S3HBAI6 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc TC58BYG1S3HBAI6. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на TC58BYG1S3HBAI6. Націсніце, каб атрымаць прапанову
TC58BYG1S3HBAI6 Асаблівасці
TC58BYG1S3HBAI6 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to аб'ём памяці.
TC58BYG1S3HBAI6 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
TC58BYG1S3HBAI6 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Toshiba Memory America, Inc..
TC58BYG1S3HBAI6 вытворчасці Toshiba Memory America, Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
TC58BYG1S3HBAI6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных TC58BYG1S3HBAI6 (PDF), кошт TC58BYG1S3HBAI6, Распіноўка TC58BYG1S3HBAI6, кіраўніцтва TC58BYG1S3HBAI6 і рашэнне на замену TC58BYG1S3HBAI6.
TC58BYG1S3HBAI6 вытворчасці Toshiba Memory America, Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
TC58BYG1S3HBAI6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных TC58BYG1S3HBAI6 (PDF), кошт TC58BYG1S3HBAI6, Распіноўка TC58BYG1S3HBAI6, кіраўніцтва TC58BYG1S3HBAI6 і рашэнне на замену TC58BYG1S3HBAI6.
TC58BYG1S3HBAI6 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 166 MHz.
2. What is the typical power consumption of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations is 60 mA.
3. Can the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory be operated at voltages other than 3.3V?
No, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is designed to operate at a voltage of 3.3V.
4. What is the capacity of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory has a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte).
5. Does the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory supports hardware data protection features such as write protection and block locking.
6. What is the typical page size of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The typical page size of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 2 kilobytes.
7. Is the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is designed to operate within industrial temperature ranges.
8. What interface does the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory use for data transfer?
The TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory uses a standard 8-bit asynchronous interface for data transfer.
9. Can the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is suitable for use in automotive applications due to its reliability and temperature range.
10. What is the typical erase time of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The typical erase time of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 2 milliseconds.
The maximum operating frequency of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 166 MHz.
2. What is the typical power consumption of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations is 60 mA.
3. Can the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory be operated at voltages other than 3.3V?
No, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is designed to operate at a voltage of 3.3V.
4. What is the capacity of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory has a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte).
5. Does the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory supports hardware data protection features such as write protection and block locking.
6. What is the typical page size of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The typical page size of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 2 kilobytes.
7. Is the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is designed to operate within industrial temperature ranges.
8. What interface does the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory use for data transfer?
The TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory uses a standard 8-bit asynchronous interface for data transfer.
9. Can the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is suitable for use in automotive applications due to its reliability and temperature range.
10. What is the typical erase time of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The typical erase time of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 2 milliseconds.
TC58BYG1S3HBAI6 Змяненні, ключавыя словы
:
TC58BYG1S3HBAI6 Кошт
TC58BYG1S3HBAI6 Малюнак
TC58BYG1S3HBAI6 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "TC58"
