SK12H45 B0G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE SCHOTTKY 45V 12A DO201AD
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SK12H45 B0G
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE SCHOTTKY 45V 12A DO201AD
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
SK12H45 B0G Табліцы дадзеных(PDF)
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
45V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
550mV @ 12A
Пакет / Чахол :
DO-201AD, Axial
Пакет прылады пастаўшчыка :
DO-201AD
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
200°C (Max)
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
120µA @ 45V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
12A
Тып мацавання :
Through Hole
Ўпакоўка :
Bulk
хуткасць :
Fast Recovery = 200mA (Io)
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
-
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
Schottky
в наличии
58,231
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SK12H45 B0G Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SK12H45 B0G больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SK12H45 B0G. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SK12H45 B0G. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SK12H45 B0G Асаблівасці
SK12H45 B0G is produced by Taiwan Semiconductor Corporation, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
SK12H45 B0G Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SK12H45 B0G - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Taiwan Semiconductor Corporation.
SK12H45 B0G вытворчасці Taiwan Semiconductor Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SK12H45 B0G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SK12H45 B0G (PDF), кошт SK12H45 B0G, Распіноўка SK12H45 B0G, кіраўніцтва SK12H45 B0G і рашэнне на замену SK12H45 B0G.
SK12H45 B0G вытворчасці Taiwan Semiconductor Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SK12H45 B0G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SK12H45 B0G (PDF), кошт SK12H45 B0G, Распіноўка SK12H45 B0G, кіраўніцтва SK12H45 B0G і рашэнне на замену SK12H45 B0G.
SK12H45 B0G FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage (VDS) for the SK12H45 B0G power MOSFET?
The maximum drain-source voltage (VDS) for the SK12H45 B0G power MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current (ID) rating of the SK12H45 B0G MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the SK12H45 B0G MOSFET is 120A.
3. Can you provide the on-state resistance (RDS(on)) specification for the SK12H45 B0G MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) specification for the SK12H45 B0G MOSFET is 4.5mΩ.
4. What is the maximum junction temperature (TJ) for the SK12H45 B0G MOSFET?
The maximum junction temperature (TJ) for the SK12H45 B0G MOSFET is 175°C.
5. Does the SK12H45 B0G MOSFET have a gate threshold voltage specified?
Yes, the gate threshold voltage for the SK12H45 B0G MOSFET is typically 2.5V.
6. What is the total power dissipation (PD) rating for the SK12H45 B0G MOSFET?
The total power dissipation (PD) rating for the SK12H45 B0G MOSFET is 300W.
7. Can you provide the input capacitance (Ciss) specification for the SK12H45 B0G MOSFET?
The input capacitance (Ciss) specification for the SK12H45 B0G MOSFET is 9200pF.
8. What is the output capacitance (Coss) specification for the SK12H45 B0G MOSFET?
The output capacitance (Coss) specification for the SK12H45 B0G MOSFET is 500pF.
9. Is the SK12H45 B0G MOSFET RoHS compliant?
Yes, the SK12H45 B0G MOSFET is RoHS compliant.
10. Can you provide the package type and dimensions for the SK12H45 B0G MOSFET?
The SK12H45 B0G MOSFET is available in a TO-220AB package with dimensions of 10.4mm x 15.5mm.
The maximum drain-source voltage (VDS) for the SK12H45 B0G power MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current (ID) rating of the SK12H45 B0G MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the SK12H45 B0G MOSFET is 120A.
3. Can you provide the on-state resistance (RDS(on)) specification for the SK12H45 B0G MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) specification for the SK12H45 B0G MOSFET is 4.5mΩ.
4. What is the maximum junction temperature (TJ) for the SK12H45 B0G MOSFET?
The maximum junction temperature (TJ) for the SK12H45 B0G MOSFET is 175°C.
5. Does the SK12H45 B0G MOSFET have a gate threshold voltage specified?
Yes, the gate threshold voltage for the SK12H45 B0G MOSFET is typically 2.5V.
6. What is the total power dissipation (PD) rating for the SK12H45 B0G MOSFET?
The total power dissipation (PD) rating for the SK12H45 B0G MOSFET is 300W.
7. Can you provide the input capacitance (Ciss) specification for the SK12H45 B0G MOSFET?
The input capacitance (Ciss) specification for the SK12H45 B0G MOSFET is 9200pF.
8. What is the output capacitance (Coss) specification for the SK12H45 B0G MOSFET?
The output capacitance (Coss) specification for the SK12H45 B0G MOSFET is 500pF.
9. Is the SK12H45 B0G MOSFET RoHS compliant?
Yes, the SK12H45 B0G MOSFET is RoHS compliant.
10. Can you provide the package type and dimensions for the SK12H45 B0G MOSFET?
The SK12H45 B0G MOSFET is available in a TO-220AB package with dimensions of 10.4mm x 15.5mm.
SK12H45 B0G Змяненні, ключавыя словы
:
SK12H45 B0G Кошт
SK12H45 B0G Малюнак
SK12H45 B0G Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SK12"
