T835-600G-TR STMicroelectronics TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
T835-600G-TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Канфігурацыя :
Single
Напружанне - выключана :
600V
Напружанне - трыгер засаўкі (Vgt) (макс.) :
1.3V
Пакет / Чахол :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылады пастаўшчыка :
D2PAK
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
Snubberless™
Ток - непаўторны ўсплёск 50, 60 Гц (Itsm) :
80A, 84A
Ток - трыгер засаўкі (Igt) (макс.) :
35mA
Ток - Уключаны стан (It (RMS)) (макс.) :
8A
Ток - утрыманне (Ih) (макс.) :
35mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып трыака :
Alternistor - Snubberless
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частка Статус :
Active
в наличии
27,554
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
T835-600G-TR Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць T835-600G-TR больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc T835-600G-TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на T835-600G-TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
T835-600G-TR Асаблівасці
T835-600G-TR is produced by STMicroelectronics, belongs to Тырыстары - TRIAC.
T835-600G-TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
T835-600G-TR - гэта Тырыстары - TRIAC, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
STMicroelectronics.
T835-600G-TR вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
T835-600G-TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных T835-600G-TR (PDF), кошт T835-600G-TR, Распіноўка T835-600G-TR, кіраўніцтва T835-600G-TR і рашэнне на замену T835-600G-TR.
T835-600G-TR вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
T835-600G-TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных T835-600G-TR (PDF), кошт T835-600G-TR, Распіноўка T835-600G-TR, кіраўніцтва T835-600G-TR і рашэнне на замену T835-600G-TR.
T835-600G-TR FAQ
:
1. What is the maximum continuous drain current (Id) for the T835-600G-TR discrete semiconductor?
The maximum continuous drain current (Id) for the T835-600G-TR discrete semiconductor is 10A.
2. What is the maximum gate-source voltage (Vgs) for this semiconductor?
The maximum gate-source voltage (Vgs) for the T835-600G-TR is ±20V.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the T835-600G-TR at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the T835-600G-TR at Vgs=10V and Id=5A is typically 0.045 ohms.
4. Can you provide the typical input capacitance (Ciss) of the T835-600G-TR?
The typical input capacitance (Ciss) of the T835-600G-TR is 1600pF.
5. What is the maximum power dissipation (Pd) for the T835-600G-TR at a certain temperature?
The maximum power dissipation (Pd) for the T835-600G-TR at 25°C is 2.5W.
6. What is the threshold voltage (Vth) of the T835-600G-TR?
The threshold voltage (Vth) of the T835-600G-TR is typically 2V.
7. Can you specify the total gate charge (Qg) of the T835-600G-TR at a given gate-source voltage?
The total gate charge (Qg) of the T835-600G-TR at Vgs=10V is typically 16nC.
8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the T835-600G-TR?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the T835-600G-TR is typically 100pF.
9. Can you provide the maximum junction temperature (Tj) for the T835-600G-TR?
The maximum junction temperature (Tj) for the T835-600G-TR is 150°C.
10. What is the storage temperature range (Tstg) for the T835-600G-TR?
The storage temperature range (Tstg) for the T835-600G-TR is -55°C to 150°C.
The maximum continuous drain current (Id) for the T835-600G-TR discrete semiconductor is 10A.
2. What is the maximum gate-source voltage (Vgs) for this semiconductor?
The maximum gate-source voltage (Vgs) for the T835-600G-TR is ±20V.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the T835-600G-TR at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the T835-600G-TR at Vgs=10V and Id=5A is typically 0.045 ohms.
4. Can you provide the typical input capacitance (Ciss) of the T835-600G-TR?
The typical input capacitance (Ciss) of the T835-600G-TR is 1600pF.
5. What is the maximum power dissipation (Pd) for the T835-600G-TR at a certain temperature?
The maximum power dissipation (Pd) for the T835-600G-TR at 25°C is 2.5W.
6. What is the threshold voltage (Vth) of the T835-600G-TR?
The threshold voltage (Vth) of the T835-600G-TR is typically 2V.
7. Can you specify the total gate charge (Qg) of the T835-600G-TR at a given gate-source voltage?
The total gate charge (Qg) of the T835-600G-TR at Vgs=10V is typically 16nC.
8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the T835-600G-TR?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the T835-600G-TR is typically 100pF.
9. Can you provide the maximum junction temperature (Tj) for the T835-600G-TR?
The maximum junction temperature (Tj) for the T835-600G-TR is 150°C.
10. What is the storage temperature range (Tstg) for the T835-600G-TR?
The storage temperature range (Tstg) for the T835-600G-TR is -55°C to 150°C.
T835-600G-TR Змяненні, ключавыя словы
:
T835-600G-TR Кошт
T835-600G-TR Малюнак
T835-600G-TR Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "T835"