GN1158-INE3 Semtech Corporation IC TX SR ETHERNET 1-11.3G 28QFN

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
GN1158-INE3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC TX SR ETHERNET 1-11.3G 28QFN
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Колькасць каналаў :
-
Напружанне - сілкаванне :
3.3V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
28-QFN
Працоўная тэмпература :
-
серыял :
-
Ток - Bias :
15mA
Ток - Забеспячэнне :
-
Ток - Мадуляцыя :
20mA
Тып :
Laser Diode Driver (Fiber Optic)
Тып мацавання :
Surface Mount
Ўпакоўка :
Tray
Частка Статус :
Active
Хуткасць перадачы дадзеных :
11.3Gbps
в наличии
17,276
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

GN1158-INE3 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць GN1158-INE3 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc GN1158-INE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на GN1158-INE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

GN1158-INE3 Асаблівасці

GN1158-INE3 is produced by Semtech Corporation, belongs to PMIC - лазерныя драйверы.
  

GN1158-INE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
GN1158-INE3 - гэта PMIC - лазерныя драйверы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Semtech Corporation.
GN1158-INE3 вытворчасці Semtech Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
GN1158-INE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных GN1158-INE3 (PDF), кошт GN1158-INE3, Распіноўка GN1158-INE3, кіраўніцтва GN1158-INE3 і рашэнне на замену GN1158-INE3.
  

GN1158-INE3 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for GN1158-INE3?
The maximum drain-source voltage rating for GN1158-INE3 is 60V.

2. What is the typical on-state resistance of GN1158-INE3?
The typical on-state resistance of GN1158-INE3 is 12mΩ.

3. What is the maximum continuous drain current for GN1158-INE3?
The maximum continuous drain current for GN1158-INE3 is 100A.

4. What is the typical gate charge of GN1158-INE3?
The typical gate charge of GN1158-INE3 is 45nC.

5. What is the maximum junction temperature for GN1158-INE3?
The maximum junction temperature for GN1158-INE3 is 175°C.

6. What is the typical input capacitance of GN1158-INE3?
The typical input capacitance of GN1158-INE3 is 5200pF.

7. What is the maximum power dissipation for GN1158-INE3?
The maximum power dissipation for GN1158-INE3 is 200W.

8. What is the typical threshold voltage of GN1158-INE3?
The typical threshold voltage of GN1158-INE3 is 2.5V.

9. What is the maximum storage temperature for GN1158-INE3?
The maximum storage temperature for GN1158-INE3 is -55°C to 175°C.

10. What is the typical reverse transfer capacitance of GN1158-INE3?
The typical reverse transfer capacitance of GN1158-INE3 is 120pF.
  

GN1158-INE3 Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "GN11"