MMDT4126-7 Diodes Incorporated TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
MMDT4126-7
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
120 @ 2mA, 1V
Магутнасць - Макс :
200mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
25V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
400mV @ 5mA, 50mA
Пакет / Чахол :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет прылады пастаўшчыка :
SOT-363
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
50nA (ICBO)
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
200mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
2 PNP (Dual)
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частата - Пераход :
250MHz
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
30,689
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MMDT4126-7 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MMDT4126-7 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MMDT4126-7. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MMDT4126-7. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MMDT4126-7 Асаблівасці
MMDT4126-7 is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы.
MMDT4126-7 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MMDT4126-7 - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Diodes Incorporated.
MMDT4126-7 вытворчасці Diodes Incorporated можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MMDT4126-7 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MMDT4126-7 (PDF), кошт MMDT4126-7, Распіноўка MMDT4126-7, кіраўніцтва MMDT4126-7 і рашэнне на замену MMDT4126-7.
MMDT4126-7 вытворчасці Diodes Incorporated можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MMDT4126-7 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MMDT4126-7 (PDF), кошт MMDT4126-7, Распіноўка MMDT4126-7, кіраўніцтва MMDT4126-7 і рашэнне на замену MMDT4126-7.
MMDT4126-7 FAQ
:
1. What is the maximum continuous collector current (IC) for MMDT4126-7?
The maximum continuous collector current (IC) for MMDT4126-7 is 500mA.
2. What is the maximum power dissipation (PD) for MMDT4126-7?
The maximum power dissipation (PD) for MMDT4126-7 is 350mW.
3. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MMDT4126-7?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MMDT4126-7 is 40V.
4. What is the maximum emitter-base voltage (VEBO) for MMDT4126-7?
The maximum emitter-base voltage (VEBO) for MMDT4126-7 is 5V.
5. What is the DC current gain (hFE) range for MMDT4126-7?
The DC current gain (hFE) range for MMDT4126-7 is 100 to 600.
6. What is the total power dissipation (PTOT) for MMDT4126-7?
The total power dissipation (PTOT) for MMDT4126-7 is 625mW.
7. What is the thermal resistance junction to ambient (RθJA) for MMDT4126-7?
The thermal resistance junction to ambient (RθJA) for MMDT4126-7 is 357°C/W.
8. What is the storage temperature range for MMDT4126-7?
The storage temperature range for MMDT4126-7 is -55°C to +150°C.
9. What is the operating temperature range for MMDT4126-7?
The operating temperature range for MMDT4126-7 is -55°C to +150°C.
10. What is the package type for MMDT4126-7?
The package type for MMDT4126-7 is SOT-363.
The maximum continuous collector current (IC) for MMDT4126-7 is 500mA.
2. What is the maximum power dissipation (PD) for MMDT4126-7?
The maximum power dissipation (PD) for MMDT4126-7 is 350mW.
3. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MMDT4126-7?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MMDT4126-7 is 40V.
4. What is the maximum emitter-base voltage (VEBO) for MMDT4126-7?
The maximum emitter-base voltage (VEBO) for MMDT4126-7 is 5V.
5. What is the DC current gain (hFE) range for MMDT4126-7?
The DC current gain (hFE) range for MMDT4126-7 is 100 to 600.
6. What is the total power dissipation (PTOT) for MMDT4126-7?
The total power dissipation (PTOT) for MMDT4126-7 is 625mW.
7. What is the thermal resistance junction to ambient (RθJA) for MMDT4126-7?
The thermal resistance junction to ambient (RθJA) for MMDT4126-7 is 357°C/W.
8. What is the storage temperature range for MMDT4126-7?
The storage temperature range for MMDT4126-7 is -55°C to +150°C.
9. What is the operating temperature range for MMDT4126-7?
The operating temperature range for MMDT4126-7 is -55°C to +150°C.
10. What is the package type for MMDT4126-7?
The package type for MMDT4126-7 is SOT-363.
MMDT4126-7 Змяненні, ключавыя словы
:
MMDT4126-7 Кошт
MMDT4126-7 Малюнак
MMDT4126-7 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MMDT"