BLP7G22-10Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы     
Нумар вытворцы:
BLP7G22-10Z
Вытворца:
Апісанне:
RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Бягучы рэйтынг :
-
Выйгрыш :
16dB
Магутнасць - выхад :
2W
Напружанне - Намінальнае :
65V
Напружанне - Тэст :
28V
Пакет / Чахол :
12-VDFN Exposed Pad
Пакет прылады пастаўшчыка :
12-HVSON (6x4)
серыял :
-
Ток - Тэст :
110mA
Тып транзістара :
LDMOS (Dual), Common Source
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фігура шуму :
-
Частата :
2.14GHz
Частка Статус :
Active
в наличии
52,912
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

BLP7G22-10Z Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць BLP7G22-10Z больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc BLP7G22-10Z. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на BLP7G22-10Z. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

BLP7G22-10Z Асаблівасці

BLP7G22-10Z is produced by Ampleon USA Inc., belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ.
  

BLP7G22-10Z Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
BLP7G22-10Z - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Ampleon USA Inc..
BLP7G22-10Z вытворчасці Ampleon USA Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BLP7G22-10Z кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BLP7G22-10Z (PDF), кошт BLP7G22-10Z, Распіноўка BLP7G22-10Z, кіраўніцтва BLP7G22-10Z і рашэнне на замену BLP7G22-10Z.
  

BLP7G22-10Z FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is 100V.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the BLP7G22-10Z power MOSFET is 75A.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the BLP7G22-10Z power MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is typically 4.5mΩ at Vgs = 10V and Id = 37.5A.

4. Can the BLP7G22-10Z power MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the BLP7G22-10Z power MOSFET is designed for use in automotive applications.

5. What is the maximum junction temperature (Tj) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is 175°C.

6. Does the BLP7G22-10Z power MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the BLP7G22-10Z power MOSFET features built-in ESD protection.

7. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is typically 2.5V.

8. Is the BLP7G22-10Z power MOSFET RoHS compliant?
Yes, the BLP7G22-10Z power MOSFET is RoHS compliant.

9. What is the input capacitance (Ciss) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is typically 6800pF.

10. What is the output capacitance (Coss) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is typically 3400pF.
  

BLP7G22-10Z Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "BLP7"